[发明专利]半导体器件、射频电路装置和制造方法

说明书

本公开提供了一种半导体器件、射频电路装置和制造方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件可以包括：衬底，该衬底包括用于声波器件的组件；在该衬底上的多个连接件，该多个连接件分别与该组件连接；在该衬底上的环状件，其中，该多个连接件在该环状件所围成区域的外部；以及在该环状件上的盖件，其中，该盖件、该衬底和该环状件形成用于该声波器件的腔体。该半导体器件的体积较小，并且便于与其他功能器件集成。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体器件、射频电路装置和制造方法。

背景技术

随着无线移动通信系统所支持的模式及频段的不断增加，当前无线通信移动终端的射频前端架构也变得越来越复杂。例如，射频前端架构可以包括：主天线、天线匹配调谐芯片、单刀多掷射频天线开关芯片、双工器芯片、3G/4G单频功率放大器芯片、3G/4G多模多频功率放大器芯片、2G功率放大器芯片、射频收发信机芯片、接收通路开关芯片、滤波器芯片、分集射频天线开关芯片和分集天线等。

随着技术的发展，滤波器和双工器将成为主要的器件。滤波器主要采用分立电感、电容器件来实现，或者采用IPD(Integrated Product Development，集成产品开发)工艺实现。双工器主要采用声表面波(Surface Acoustic Wave，简称为SAW)器件、体声波(BulkAcoustic Wave，简称为BAW)器件、薄膜体声波器件等声波器件实现。在相关技术中，可以采用金属封装、塑料封装或表贴封装等封装方式对声波器件封装。

该金属封装和该塑性封装会导致器件的体积太大，不容易与射频前端模块的功能器件集成在一起。而基于陶瓷的表贴封装，制造工艺比较复杂，成本高，并且也不容易与其他工艺相匹配。

发明内容

本公开的实施例解决的一个技术问题是：提供一种用于声波器件的半导体器件，以便于与其他功能器件集成。

根据本公开实施例的一个方面，提供了一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底包括用于声波器件的组件；在所述衬底上的多个连接件，所述多个连接件分别与所述组件连接；在所述衬底上的环状件，其中，所述多个连接件在所述环状件所围成区域的外部；以及在所述环状件上的盖件，其中，所述盖件、所述衬底和所述环状件形成用于所述声波器件的腔体。

在一些实施例中，所述环状件的高度大于或等于每个连接件的高度。

在一些实施例中，所述环状件在所述组件之上。

在一些实施例中，所述腔体的深度大于或等于1微米。

在一些实施例中，所述环状件的材料包括聚合物材料；所述盖件的材料包括绝缘材料；所述连接件的材料包括金属材料。

在一些实施例中，所述多个连接件位于所述环状件的周围。

根据本公开实施例的另一个方面，提供了一种射频电路装置，包括如前所述的半导体器件。

在一些实施例中，所述射频电路装置还包括：多个功能器件和具有多个金属导线的电路基板，其中，所述半导体器件和所述多个功能器件通过倒扣的方式设置在所述电路基板上，所述半导体器件和所述多个功能器件分别通过所述金属导线电连接。

在一些实施例中，所述多个功能器件至少包括开关器件和射频功率放大器。

根据本公开实施例的另一个方面，提供了一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底包括用于声波器件的组件；在所述衬底上形成多个连接件，所述多个连接件分别与所述组件连接；在所述衬底上设置环状件，其中，所述多个连接件在所述环状件所围成区域的外部；以及在所述环状件上设置盖件，其中，所述盖件、所述衬底和所述环状件形成用于所述声波器件的腔体。

在一些实施例中，所述环状件的高度大于或等于每个连接件的高度。

在一些实施例中，所述环状件被设置在所述组件之上。