[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201910007558.5 | 申请日： | 2019-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN110010696B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 津吹将志 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本显示器 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 邸万杰;徐飞跃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
在基板上形成第一栅极电极，
在所述第一栅极电极上形成栅极绝缘膜，
在所述栅极绝缘膜上形成包含与所述第一栅极电极重叠的区域的第一氧化物半导体层，
在所述第一氧化物半导体层上形成源极电极和漏极电极，
在所述源极电极和漏极电极上形成氧化物绝缘层，
在含有氧的气氛中对氧化物半导体靶进行溅射而在所述氧化物绝缘层上形成含有铟的第二氧化物半导体层，并且对所述氧化物绝缘层添加氧，
通过进行加热处理，使所述氧扩散到所述第一氧化物半导体层，并且使得在所述氧化物绝缘层的从表面起的厚度为50nm以下的第一区域中包含浓度为1×1017atoms/cm3以上1×1018atoms/cm3以下的铟，
在进行了所述加热处理之后，去除所述第二氧化物半导体层。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
所述第二氧化物半导体层的膜厚小于所述第一氧化物半导体层的膜厚。
3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
所述第二氧化物半导体层的载流子浓度为1×1013cm-3以上1×1020cm-3以下。
4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
所述加热处理的温度为300℃以上400℃以下。
5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
所述溅射中的相对于稀有气体的氧气流量比为30％以上。
6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
所述第二氧化物半导体层的材料与所述第一氧化物半导体层的材料相同。
7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层至少包含铟、镓、锌。
8.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
所述第二氧化物半导体层的材料与所述第一氧化物半导体层的材料不同。
9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层至少包含铟。
10.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
在去除了所述第二氧化物半导体层之后，在所述氧化物绝缘层上形成与所述第一氧化物半导体层重叠的第二栅极电极。
11.一种半导体装置，其特征在于，包括：
形成在基板上的第一栅极电极；
形成在所述第一栅极电极上的栅极绝缘膜；
在所述栅极绝缘膜上与所述第一栅极电极重叠的氧化物半导体层；和
形成在所述氧化物半导体层上的氧化物绝缘层，
在所述氧化物绝缘层的从表面起的厚度为50nm以下的第一区域中包含铟，
所述第一区域所含的所述铟的浓度为1×1017atoms/cm3以上1×1018atoms/cm3以下。
12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于：
在所述氧化物绝缘层上还具有与所述氧化物半导体层重叠的第二栅极电极。
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