[发明专利]一种硬质材料的表面抛光方法在审
| 申请号： | 201910007865.3 | 申请日： | 2019-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN109623581A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 王敬;程海英;宋东波 | 申请（专利权）人： | 芜湖启迪半导体有限公司;清华大学 |
| 主分类号： | B24B19/22 | 分类号： | B24B19/22;B24B29/02;B24B37/005;B24B57/02;H01L21/304;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 尹婷婷 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市弋江*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硬质材料表面 等离子体刻蚀处理 表面抛光 晶片抛光 硬质材料 抛光 粗抛 精磨 化学机械抛光 规模化生产 晶片表面 抛光工艺 抛光周期 平坦度 损伤层 耗时 全局 | ||
1.一种硬质材料的表面抛光方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)提供待抛光材料，所述待抛光材料为硬质材料；
(2)对待抛光材料表面进行精磨和/或粗抛；
(3)对待抛光材料已完成精磨和/或粗抛的表面进行等离子体刻蚀；
(4)对待抛光材料已完成等离子体刻蚀的表面进行化学机械抛光。
2.根据权利要求1所述的硬质材料的表面抛光方法，其特征在于，所述硬质材料为莫氏硬度在7.0以上的半导体材料，包括碳化硅、金刚石、氮化硼、氮化镓、氮化铝或蓝宝石。
3.根据权利要求1所述的硬质材料的表面抛光方法，其特征在于，在步骤(2)之后、步骤(3)之前，进一步包括：中间清洗步骤，以去除所述待抛光材料表面的颗粒沾污。
4.根据权利要求1所述的硬质材料的表面抛光方法，其特征在于，在步骤(4)之后，进一步包括：最终清洗步骤，以去除所述硬质材料表面的颗粒和杂质沾污。
5.根据权利要求1所述的硬质材料的表面抛光方法，其特征在于，进行化学机械抛光时，使用的抛光液为酸性。
6.根据权利要求5所述的硬质材料的表面抛光方法，其特征在于，使用的抛光液pH值为0.1～6。
7.根据权利要求1所述的硬质材料的表面抛光方法，其特征在于，进行化学机械抛光时，在使用的抛光液中还加入了氧化剂。
8.权利要求7所述的硬质材料的表面抛光方法，其特征在于，所述氧化剂为过氧化氢、过硫酸、次氯酸、高氯酸、碘酸、高碘酸、过硫酸盐、次氯酸盐、高氯酸盐、碘酸盐、高碘酸盐中的一种或多种。
9.根据权利要求1～8任意一项所述的硬质材料的表面抛光方法制备得到硬质材料晶片，其特征在于，所述硬质材料晶片表面是原子级光滑的，其表面粗糙度为亚纳米级。
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