[发明专利]一种具有隔离-双逾渗结构的高PTC强度的导电复合材料、以及其制备方法与应用有效

专利信息
申请号: 201910008138.9 申请日: 2019-01-04
公开(公告)号: CN109762277B 公开(公告)日: 2020-12-29
发明(设计)人: 段咏欣;王彤彤;张建明;陈龙;杨菲 申请(专利权)人: 青岛科技大学
主分类号: C08L27/16 分类号: C08L27/16;C08L23/08;C08K3/04
代理公司: 北京悦和知识产权代理有限公司 11714 代理人: 田昕
地址: 266061 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 具有 隔离 双逾渗 结构 ptc 强度 导电 复合材料 及其 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种具有隔离-双逾渗结构的高PTC强度的导电复合材料,其特征在于:该导电复合材料由包括下述组分的原料制得:线性低密度聚乙烯、聚偏氟乙烯、导电填料和抗氧剂;

所述导电复合材料的制备方法包括下述步骤:将线性低密度聚乙烯、导电填料和抗氧剂在密炼机中熔融共混,设置密炼机的温度为130-160℃,制得包覆母料;然后往密炼机中加入聚偏氟乙烯,设置密炼机的温度为130-150℃,将包覆母料和聚偏氟乙烯熔融共混后取出;热压即得;其中:

聚偏氟乙烯为粉末状超细聚偏氟乙烯;

线性低密度聚乙烯和聚偏氟乙烯的质量比为1:2-10;

导电填料为导电炭黑,导电填料的质量为线性低密度聚乙烯和聚偏氟乙烯总质量的2%-15%;

抗氧剂的质量为线性低密度聚乙烯质量的0.02%-5%。

2.根据权利要求1所述的导电复合材料,其特征在于:聚偏氟乙烯的平均粒径大小为300-800nm。

3.根据权利要求1所述的导电复合材料,其特征在于:线性低密度聚乙烯和聚偏氟乙烯的质量比为1:4-9。

4.根据权利要求3所述的导电复合材料,其特征在于:线性低密度聚乙烯和聚偏氟乙烯的质量比为1:9。

5.根据权利要求1所述的导电复合材料,其特征在于:导电填料的质量为线性低密度聚乙烯和聚偏氟乙烯总质量的2%-6%。

6.根据权利要求1所述的导电复合材料,其特征在于:导电填料的质量为线性低密度聚乙烯和聚偏氟乙烯总质量的3%-10%。

7.根据权利要求1所述的导电复合材料,其特征在于:导电填料的质量为线性低密度聚乙烯和聚偏氟乙烯总质量的5%-12%。

8.根据权利要求1所述的导电复合材料,其特征在于:导电填料的质量为线性低密度聚乙烯和聚偏氟乙烯总质量的4%-14%。

9.根据权利要求1所述的导电复合材料,其特征在于:抗氧剂包括抗氧剂1010、抗氧剂300或抗氧剂2246中的至少一种;

和/或,抗氧剂的质量为线性低密度聚乙烯质量的0.05%-2%。

10.根据权利要求9所述的导电复合材料,其特征在于:抗氧剂的质量为线性低密度聚乙烯质量的0.08%-1.2%。

11.根据权利要求9所述的导电复合材料,其特征在于:抗氧剂的质量为线性低密度聚乙烯质量的1%。

12.一种具有隔离-双逾渗结构的高PTC强度的导电复合材料的制备方法,其特征在于:包括下述步骤:将线性低密度聚乙烯、导电填料和抗氧剂在密炼机中熔融共混,设置密炼机的温度为130-160℃,制得包覆母料;然后往密炼机中加入聚偏氟乙烯,设置密炼机的温度为130-150℃,将包覆母料和聚偏氟乙烯熔融共混后取出;热压即得。

13.根据权利要求12所述的制备方法,其特征在于:聚偏氟乙烯的平均粒径大小为300-800nm。

14.根据权利要求12所述的制备方法,其特征在于:线性低密度聚乙烯和聚偏氟乙烯的质量比为1:4-9。

15.根据权利要求12所述的制备方法,其特征在于:线性低密度聚乙烯和聚偏氟乙烯的质量比为1:9。

16.根据权利要求12所述的制备方法,其特征在于:导电填料的质量为线性低密度聚乙烯和聚偏氟乙烯总质量的2%-6%。

17.根据权利要求12所述的制备方法,其特征在于:导电填料的质量为线性低密度聚乙烯和聚偏氟乙烯总质量的3%-10%。

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