[发明专利]一种光子晶体波导对角模干涉FANO共振结构有效
| 申请号： | 201910008244.7 | 申请日： | 2019-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN109669242B | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 欧阳征标;安银冰;孙一翎 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/12 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 齐则琳;张雷 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光子 晶体 波导 对角 干涉 fano 共振 结构 | ||
1.一种光子晶体波导对角模干涉FANO共振结构，适于设置在具有折射率的背景介质中，其特征在于，包括：
二维光子晶体线型波导，所述二维光子晶体线型波导由若干个具有折射率的介质柱排布构成，所述二维光子晶体线型波导包括两个波导端口和一个点缺陷谐振腔，其中两个所述波导端口分别设置在所述点缺陷谐振腔的两侧，所述点缺陷谐振腔包括四个所述介质柱和一个点缺陷介质柱，其中所述点缺陷介质柱的两侧相对称地分别设置各两个所述介质柱，四个所述介质柱和所述点缺陷介质柱的各个中心等距离地间隔排布，所述点缺陷介质柱的横截面的高宽比为0.99～1.01。
2.根据权利要求1所述的光子晶体波导对角模干涉FANO共振结构，其特征在于，四个所述介质柱和所述点缺陷介质柱排布在同一直线。
3.根据权利要求1所述的光子晶体波导对角模干涉FANO共振结构，其特征在于，所述介质柱按正方晶格或三角晶格排布形成二维光子晶体。
4.根据权利要求1所述的光子晶体波导对角模干涉FANO共振结构，其特征在于，所述背景介质的折射率小于1.5。
5.根据权利要求1或4所述的光子晶体波导对角模干涉FANO共振结构，其特征在于，所述背景介质为空气、真空、或泡沫材料。
6.根据权利要求1所述的光子晶体波导对角模干涉FANO共振结构，其特征在于，所述介质柱的折射率大于2.6。
7.根据权利要求1或6所述的光子晶体波导对角模干涉FANO共振结构，其特征在于，所述介质柱的材料为硅或砷化镓。
8.根据权利要求1所述的光子晶体波导对角模干涉FANO共振结构，其特征在于，所述介质柱的横截面为圆形或正多边形。
9.根据权利要求1所述的光子晶体波导对角模干涉FANO共振结构，其特征在于，所述二维光子晶体线型波导的宽度为2a，长度为na，其中a为所述二维光子晶体线型波导中光子晶体的晶格常数，n为不小于5的常整数。
10.根据权利要求1所述的光子晶体波导对角模干涉FANO共振结构，其特征在于，所述点缺陷介质柱的横截面为矩形或椭圆形。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳大学，未经深圳大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910008244.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种光子晶体波导四极分裂模干涉FANO共振结构
- 下一篇：光子集成电路
