[发明专利]一种降低晶片表面颗粒度的清洁方法

权利要求书

1.一种降低晶片表面颗粒度的清洁方法，其特征在于，包括：

将用清洗液清洗的晶片经清洁干燥处理，即制得表面颗粒度低的晶片；所述清洁干燥步骤包括气体冲洗和甩干，所述甩干包括第一次甩干和第二次甩干；所述第一次甩干的温度大于第二次甩干的温度，所述第一次甩干的转速2000r/min，时间3min，加热温度50℃，所述第二次甩干的转速600r/min，时间6min，25℃；

所述清洗液清洗晶片的步骤包括使用清洗液冲洗晶片，所述清洗液的流量120L/小时，冲洗时间3min；

所述气体冲洗使用的气体为非活性气体，所述气体冲洗的压力为1.2Mpa，所述气体冲洗的温度为25℃，时间为15min；

所述晶片为碳化硅晶片，上述清洁 干燥处理后的所述晶片的表面颗粒度低于20个。

2.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，所述气体冲洗使用的气体为氮气。

3.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，所述清洗液为水。

4.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，所述气体冲洗使用热氮烘干机，所述甩干使用甩干机。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的清洁方法，其特征在于，所述的晶片包括经过化学腐蚀处理制得。