[发明专利]一种实现电磁成形系统长寿命的电路结构及其方法

权利要求书

1.一种实现电磁成形系统长寿命的方法，其特征在于：包括一种实现电磁成形系统长寿命的电路，该电路包括电容电源（1）、放电开关（5）、驱动线圈（6）；

还包括：

用于转换充电极性的单刀三掷开关（4）；

用于实现电容电源（1）充电的整流二极管（3）；

用于实现电容电源（1）极性反向的晶闸管开关组（2）；

用于测量放电电流的电流检测单元（7）；

所述整流二极管（3）包括正向整流二极管（31）、负向整流二极管（32）；

所述晶闸管开关组（2）包括高压侧晶闸管开关一（21）、低压侧晶闸管开关二（22）、低压侧晶闸管开关一（23）、高压侧晶闸管开关二（24）；

交流电源一侧连接单刀三掷开关（4）一端，单刀三掷开关（4）另一端触点a连接正向整流二极管（31）一端，单刀三掷开关（4）另一端触点b连接负向整流二极管（32）一端，正向整流二极管（31）另一端、负向整流二极管（32）另一端均连接放电开关（5）一端，放电开关（5）另一端连接驱动线圈（6）一侧，驱动线圈（6）另一侧连接电流检测单元（7）另一端，电流检测单元（7）一端连接交流电源另一侧；

放电开关（5）一端分别连接高压侧晶闸管开关一（21）一端、低压侧晶闸管开关二（22）一端，高压侧晶闸管开关一（21）另一端分别连接高压侧晶闸管开关二（24）一端、电容电源（1）一侧，低压侧晶闸管开关二（22）另一端分别连接电容电源（1）另一侧、低压侧晶闸管开关一（23）一端，高压侧晶闸管开关二（24）另一端、低压侧晶闸管开关一（23）另一端均连接至电流检测单元（7）一端；

基于上述电路实现电磁成形系统长寿命的方法，包括以下步骤：

S1：闭合高压侧晶闸管开关一（21）和低压侧晶闸管开关一（23），断开高压侧晶闸管开关二（24）和低压侧晶闸管开关二（22），将单刀三掷开关（4）置于a点，采用正向整流二极管（31）对电容电源（1）充电，直至电容电源（1）电压为U0；

S2：将单刀三掷开关（4）置于c点，闭合放电开关（5），电容电源（1）对驱动线圈（6）放电，产生脉冲电流，采用电流检测单元（7）检测脉冲电流；

S3：在脉冲电流达到第一个电流峰值，di/dt=0时，闭合高压侧晶闸管开关二（24）和低压侧晶闸管开关二（22），随后断开高压侧晶闸管开关一（21）和低压侧晶闸管开关一（23），实现电容电源（1）的极性反向；

S4：继续检测脉冲电流，在脉冲电流达到第一个半波结束，i=0时，断开放电开关（5），结束放电过程；

S5：将单刀三掷开关（4）置于b点，采用负向整流二极管（32）对电容电源（1）充电，直至电容电源（1）电压为U0；

S6：将单刀三掷开关（4）置于c点，闭合放电开关（5），电容电源（1）对驱动线圈（6）放电，产生脉冲电流，采用电流检测单元（7）检测脉冲电流；

S7：在脉冲电流达到第一个电流峰值，di/dt=0时，闭合高压侧晶闸管开关一（21）和低压侧晶闸管开关一（23），随后断开高压侧晶闸管开关二（24）和低压侧晶闸管开关二（22），实现电容电源（1）的极性反向；

S8：继续检测脉冲电流，在脉冲电流达到第一个半波结束，i=0时，断开放电开关（5），结束放电过程；

重复以上过程，实现长寿命电磁成形系统。

2.根据权利要求1所述一种实现电磁成形系统长寿命的方法，其特征在于：闭合高压侧晶闸管开关二和低压侧晶闸管开关二与断开高压侧晶闸管开关一和低压侧晶闸管开关一之间的时延小于等于100微秒。

3.根据权利要求1所述一种实现电磁成形系统长寿命的方法，其特征在于：闭合高压侧晶闸管开关一和低压侧晶闸管开关一与断开高压侧晶闸管开关二和低压侧晶闸管开关二之间的时延小于等于100微秒。