[发明专利]基于双电源实现电磁成形系统长寿命的电路结构及方法

权利要求书

1.基于双电源实现电磁成形系统长寿命的方法，其特征在于包括一种电路结构，所述电路结构包括驱动线圈（6）、放电开关（5），该电路结构还包括：

用于为驱动线圈（6）提供能量的电容电源（1）；

用于为电容电源（1）充电的整流二极管（3）、充电开关（4）；

用于切换电容电源（1）的晶闸管开关（2）；

用于检测驱动线圈（6）电流的电流检测元件（7）；

所述电容电源（1）包括正向电容电源（11）、负向电容电源（12）；

所述充电开关（4）包括第一充电开关（41）、第二充电开关（42）；

所述整流二极管（3）包括第一整流二极管（31）、第二整流二极管（32）；

所述晶闸管开关（2）包括第一晶闸管开关（21）、第二晶闸管开关（22）；

第一交流电源一侧连接第一充电开关（41）一端，第一充电开关（41）另一端连接第一整流二极管（31）一端，第一整流二极管（31）另一端连接第一晶闸管开关（21）一端，第一晶闸管开关（21）另一端连接正向电容电源（11）一端，正向电容电源（11）另一端连接第一交流电源另一侧；

第一整流二极管（31）另一端连接放电开关（5）一端，放电开关（5）另一端连接驱动线圈（6）一端，驱动线圈（6）另一端连接电流检测元件（7）一端，电流检测元件（7）另一端连接第一交流电源另一侧；

第一整流二极管（31）另一端连接负向电容电源（12）一端，负向电容电源（12）另一端连接第二晶闸管开关（22）一端，第二晶闸管开关（22）另一端连接第一交流电源另一侧；

第一整流二极管（31）另一端连接第二交流电源一侧，第二交流电源另一侧连接第二充电开关（42）另一端，第二充电开关（42）一端连接第二整流二极管（32）另一端，第二整流二极管（32）一端连接第一交流电源另一侧；

实现电磁成形系统长寿命的方法，包括以下步骤：

S1：断开放电开关、第二晶闸管开关、第二充电开关，闭合第一晶闸管开关，闭合第一充电开关，采用第一整流二极管为正向电容电源充电；

S2：当正向电容电源电压值为U0时，断开第一充电开关完成正向电容电源充电；闭合放电开关，正向电容电源对驱动线圈放电产生脉冲电流，采用电流检测元件测量驱动线圈中的脉冲电流；

S3：在脉冲电流达到第一个电流峰值，di/dt=0时，闭合第二晶闸管开关，随后断开第一晶闸管开关，此时驱动线圈给负向电容电源供能；

S4：继续测量脉冲电流，在脉冲电流达到第一个半波结束，i=0时，断开放电开关，完成第一次正向放电过程；

S5：闭合第二充电开关，采用第二整流二极管为负向电容电源充电；

S6：当负向电容电源电压值为-U0时，断开第二充电开关完成负向电容电源充电；

S7：闭合放电开关，负向电容电源对驱动线圈放电产生脉冲电流，采用电流检测元件测量驱动线圈中的脉冲电流；

S8：在脉冲电流达到第一个电流峰值，di/dt=0时，闭合第一晶闸管开关，随后断开第二晶闸管开关，此时驱动线圈给正向电容电源供能；

S9：继续测量脉冲电流，在脉冲电流达到第一个半波结束，i=0时，断开放电开关，完成第一次负向放电过程；

重复上述正向、负向放电过程，实现电磁成形系统的长寿命。

2.根据权利要求1所述基于双电源实现电磁成形系统长寿命的方法，其特征在于：闭合第二晶闸管开关与断开第一晶闸管开关之间的时延小于等于100微秒。

3.根据权利要求1所述基于双电源实现电磁成形系统长寿命的方法，其特征在于：闭合第一晶闸管开关与断开第二晶闸管开关之间的时延小于等于100微秒。