[发明专利]偏移电流传感器结构在审
申请号: | 201910009162.4 | 申请日: | 2019-01-04 |
公开(公告)号: | CN110007123A | 公开(公告)日: | 2019-07-12 |
发明(设计)人: | J·毕尔巴鄂德蒙迪扎巴尔;S·维斯 | 申请(专利权)人: | 迈来芯电子科技有限公司 |
主分类号: | G01R19/00 | 分类号: | G01R19/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 黄嵩泉;钱慰民 |
地址: | 瑞士*** | 国省代码: | 瑞士;CH |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导体 电流传感器结构 电流传感器 电流方向 基板 传感器结构 边缘对准 传导电流 导体表面 导体接触 偏移电流 偏移方向 中心偏移 正交的 邻近 | ||
1.一种电流传感器结构,包括:
导体,用于在电流方向上传导电流,所述导体具有一个或多个导体表面并具有边缘;以及
电流传感器,所述电流传感器设置在所述导体上,设置在所述导体上方,设置为邻近所述导体,或设置为与所述导体接触,并且所述电流传感器在与所述电流方向正交的偏移方向上从所述导体的中心偏移,
其中,所述电流传感器与所述导体的所述边缘对准;或者其中,所述导体具有宽度W,并且所述电流传感器在导体边缘的W/2.5、W/3、W/4、W/5或W/6的距离内。
2.如权利要求1所述的电流传感器结构,包括多于一个电流传感器,并且其中,每个电流传感器在与所述电流方向正交的偏移方向上从所述导体的所述中心偏移。
3.如权利要求2所述的电流传感器结构,其特征在于,相对于所述导体设置至少两个电流传感器以:测量磁场,其中由电流生成的所测量的磁场在不同的方向上;以及测量相同方向上的外部磁场,从而能够抵消所述外部磁场。
4.如权利要求3所述的电流传感器结构,所述电流传感器结构被配置成将来自所述至少两个电流传感器的信号相减以抵消所述外部磁场。
5.如权利要求1所述的电流传感器结构,其特征在于,所述导体具有大于所述宽度的长度且具有厚度,并且所述偏移方向在所述宽度方向上或在所述厚度方向上。
6.如权利要求5所述的电流传感器结构,其特征在于,所述电流传感器不与所述一个或多个导体表面直接接触,并且与所述导体相距小于所述宽度的距离。
7.如权利要求1所述的电流传感器结构,包括基板或印刷电路板,其中所述导体设置在所述基板或印刷电路板上,设置在所述基板或印刷电路板上方,设置为与所述基板或印刷电路板接触,嵌入在所述基板或印刷电路板内,或设置为邻近所述基板或印刷电路板,并且其中所述电流传感器设置为邻近所述导体的侧,设置为与所述导体的侧接触,设置在所述导体的侧上,或设置在所述导体的侧的上方。
8.如权利要求1所述的电流传感器结构,其特征在于,所述电流传感器被布置成感测平面内磁场。
9.如权利要求8所述的电流传感器结构,其特征在于,所述平面内磁场平行于所述一个或多个导体表面中的一个。
10.如权利要求2所述的电流传感器结构,其特征在于,第一电流传感器设置在所述导体的第一导体表面上,设置在所述导体的第一导体表面上方,设置为与所述导体的第一导体表面接触,或设置为邻近所述导体的第一导体表面,并且第二电流传感器设置在所述导体的与所述第一导体表面相对的第二导体表面上,设置在所述导体的第二导体表面上方,设置为与所述导体的第二导体表面接触,或设置为邻近所述导体的第二导体表面;或者其中,第一电流传感器和第二电流传感器设置在所述导体同一导体表面上,设置在所述导体的同一导体表面上方,设置为与所述导体的同一导体表面接触,或设置为邻近所述导体的同一导体表面;或者其中,所述至少两个电流传感器相对于导体中心被对称地放置;或者是上述各项的任何组合。
11.如权利要求2所述的电流传感器结构,其特征在于,所述导体具有顶表面区域以及比所述顶表面区域小的侧表面区域,并且其中,第一电流传感器和第二电流传感器两者都设置在与所述顶表面平行的线或平面中,或者其中,所述第一电流传感器和所述第二电流传感器两者都设置在与所述侧表面平行的线或平面中。
12.如权利要求1所述的电流传感器结构,包括至少部分地围绕所述导体和所述电流传感器的屏蔽件,其中所述导体设置在所述屏蔽件中,设置在所述屏蔽件上,设置为与所述屏蔽件接触,或设置在所述屏蔽件上方,或者设置在设于所述屏蔽件上的层上,其中所述屏蔽件在与所述电流方向表面正交的方向上的横截面形成U形形状、平面或两个平行的平面。
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