[发明专利]一种微波谐振腔测量表面电阻/电导率的校准方法

权利要求书

1.一种微波谐振腔测量表面电阻/电导率的校准方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)获取方块电阻值间隔分布均匀的校准样品；

2)利用四探针测量校准样品的方块电阻R_s0；

3)取下谐振腔(3)顶部的盖板，然后将校准样品覆盖于谐振腔(3)顶部的开口处，测量并计算获得当前谐振腔(3)的品质因子Q₀；

4)取下校准样品，将待测样品覆盖于谐振腔(3)的顶部开口处，测量并计算获得此时谐振腔(3)的品质因子Q；

5)根据步骤3)测量计算得到的谐振腔(3)的品质因子Q₀及步骤4)测量计算得到的谐振腔(3)的品质因子Q计算待测样品方块电阻值R_s和电导率值。

2.根据权利要求1所述的微波谐振腔测量表面电阻/电导率的校准方法，其特征在于，校准样品为沉积于非导电基体(1)上的导电薄膜(2)、掺杂硅片或者镜面抛光的块状导体。

3.根据权利要求1所述的微波谐振腔测量表面电阻/电导率的校准方法，其特征在于，待测样品为沉积于非导电基体(1)上的导电薄膜(2)或者测量面平整光滑的导电块(4)。

4.根据权利要求2所述的微波谐振腔测量表面电阻/电导率的校准方法，其特征在于，当校准样品为沉积于非导电基体(1)上的导电薄膜(2)时，导电薄膜(2)利用磁控溅射沉积工艺、热蒸发沉积工艺、电子束蒸发工艺、印刷工艺或化学沉积工艺沉积于非导电基体(1)上。

5.根据权利要求3所述的微波谐振腔测量表面电阻/电导率的校准方法，其特征在于，当待测样品为沉积于基底上的导电薄膜(2)时，该导电薄膜(2)利用磁控溅射沉积工艺、热蒸发沉积工艺、电子束蒸发工艺、印刷工艺或化学沉积工艺沉积于非导电基体(1)上。

6.根据权利要求2或3所述的微波谐振腔测量表面电阻/电导率的校准方法，其特征在于，非导电基体(1)为绝缘衬底或半导体衬底。

7.根据权利要求1所述的微波谐振腔测量表面电阻/电导率的校准方法，其特征在于，待测样品的方块电阻值R_s为：

其中，k是波数，η是空气波阻抗，d是谐振腔的腔体高度。