[发明专利]一种TL431应用供电线路结构及稳压方法和应用

权利要求书

1.一种TL431应用供电线路结构，其特征在于，包括稳压管Z1、采样电阻R1、采样电阻R2、限流电阻R3、电阻R4、三极管Q2、MOS管Q1和三端可编程精密基准源U1；

输入电压端接限流电阻R3的一端、三极管Q2的集电极和MOS管Q1的漏极；限流电阻R3的另一端接稳压管Z1的阴极和三极管Q2的基极，稳压管Z1的阳极接地，三极管Q2的发射极接电阻R4的一端，电阻R4的另一端接MOS管Q1的栅极和三端可编程精密基准源U1的输出端；三端可编程精密基准源U1的阳极接地，参考端接采样电阻R1一端和采样电阻R2一端，采样电阻R2的另一端接地，采样电阻R1的另一端接MOS管Q1的源极，MOS管Q1的源极为系统内部供电端。

2.根据权利要求1所述的TL431应用供电线路结构，其特征在于，三极管Q2为耐压80V的三极管，MOS管Q1为耐压100V的MOS管。

3.一种TL431应用供电线路的稳压方法，其特征在于，基于权利要求1或2所述的供电线路结构，当输入电压小于稳压管Z1的稳压值时，输入电压经限流电阻R3后，直接为三极管Q2的基极提供电流，稳压管Z1不工作，三极管Q2的发射极正偏，集电极反偏，三极管Q2工作在放大区，为TL431提供需要的工作电流；输出电压经过采样电阻R1和采样电阻R2后，将输出电压的变化反映到三端可编程精密基准源U1的参考端，进而通过改变三端可编程精密基准源U1的阴极，即可改变MOS管Q1的栅源电压，调整MOS管Q1的漏源电压，从而稳定输出电压；当输入电压大于稳压管Z1的稳压值时，稳压管Z1的阴极电压稳定在稳压管Z1的稳定值，三极管Q2的发射极正偏，集电极反偏，三极管Q2工作在放大区；输入电压大于稳压管Z1稳压值的部分电压落在三极管Q2的集电极和发射极上，输出电压经过采样电阻R1和采样电阻R2后，通过改变三端可编程精密基准源U1的阴极以调整MOS管Q1的漏源电压，从而稳定输出电压。

4.权利要求1或2所述的TL431应用供电线路结构的应用，其特征在于，应用于输入范围为20V～50V的电子系统中。

5.根据权利要求4所述的TL431应用供电线路结构的应用，其特征在于，电子系统为DC/DC变换器。

6.权利要求1所述的TL431应用供电线路结构的应用，其特征在于，应用于输入范围为80V～120V的电子系统中。

7.根据权利要求6所述的TL431应用供电线路结构的应用，其特征在于，电子系统为DC/DC变换器。