[发明专利]计及隔磁桥饱和影响的内置式永磁同步电机电感计算方法有效
申请号: | 201910009922.1 | 申请日: | 2019-01-05 |
公开(公告)号: | CN110196985B | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 夏长亮;吴霜;郭丽艳;史婷娜 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | G06F30/398 | 分类号: | G06F30/398;G06F17/11 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 程毓英 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 隔磁桥 饱和 影响 内置 永磁 同步电机 电感 计算方法 | ||
1.一种计及隔磁桥饱和影响的内置式永磁同步电机电感计算方法,包括下列步骤:
第一步:利用绕组函数确定电机定子磁动势方程;
第二步:根据定子电流d轴分量单独作用时的磁力线分布情况,建立此时隔磁桥对称饱和情况下的第一电机转子磁势模型:
其中,
式中,j为奇数;p为极对数;αp为极弧系数;β为桥弧长与极距之比;Rr为转子外半径;l2为隔磁桥厚度;ω为电角频率;θ为定子表面任意位置超前A相绕组轴线的电角度;Urd1为转子极帽区域磁势;Urd2为隔磁桥区域磁势最大值;
第三步:利用磁通连续性定理,对第二步中所提出的隔磁桥对称饱和情况下的第一电机转子磁势模型进行求解;
第四步:根据定子电流q轴分量单独作用时的磁力线分布情况,建立此时隔磁桥对称饱和情况下的第二电机转子磁势模型:
其中,
式中,j为奇数,Urq为隔磁桥区域转子磁势;
第五步:利用磁通连续性定理,对第四步中所提出的第二电机转子磁势模型进行求解;
第六步:根据步骤(2)及步骤(4)中的两个电机转子磁势模型,建立定子电流d、q轴分量同时作用时,隔磁桥不对称饱和情况下的第三电机转子磁势模型:
式中,Urd1',Urd2'及Urq'为考虑dq轴磁路交叉耦合影响后,与Urd1、Urd2及Urq对应位置处的转子磁势值;
第七步:求解转子磁势模型中未知量间的相互关系,进而利用磁通连续性定理,对步骤(6)中所提出的隔磁桥不对称饱和情况下的第三电机转子磁势模型进行计算;
第八步:利用步骤(1)中的定子磁动势及步骤(2)、步骤(4)及步骤(6)中的转子磁势模型,对电机的电枢反应磁场及电感进行计算。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学,未经天津大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910009922.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。