[发明专利]表面发射激光器器件和包括其的发光器件有效
| 申请号： | 201910011551.0 | 申请日： | 2019-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN110021875B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 姜镐在;张正训 | 申请（专利权）人： | 苏州乐琻半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/028;H01S5/34 |
| 代理公司： | 苏州锦尚知识产权代理事务所(普通合伙) 32502 | 代理人： | 滕锦林 |
| 地址： | 215499 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 表面 发射 激光器 器件 包括 发光 | ||
1.一种表面发射激光器器件，包括：
第一反射层和第二反射层；以及
有源区，所述有源区被布置在所述第一反射层和所述第二反射层之间，
其中，所述第一反射层包括第一组第一反射层和第二组第一反射层，
其中，所述第二反射层包括第一组第二反射层和第二组第二反射层，
其中，所述第一组第二反射层包括：
第一-第一层，所述第一-第一层具有第一铝浓度；
第一-第二层，所述第一-第二层具有高于所述第一铝浓度的第二铝浓度并且被布置在所述第一-第一层上；以及
第一-第四层，所述第一-第四层具有从所述第二铝浓度变化到所述第一铝浓度的第四铝浓度并且被布置在所述第一-第二层上，
其中，所述第一-第二层被布置在所述第一-第一层和所述第一-第四层之间，其中，所述第一-第一层比所述第一-第二层更靠近所述有源区，
其中，所述第二反射层掺杂有第二导电掺杂剂，以及
其中，所述第一-第四层的第二导电掺杂浓度高于所述第一-第一层和/或所述第一-第二层的第二导电掺杂浓度，
其中，所述有源区包括包含第一导电掺杂层的第一腔体、包含第二导电掺杂层的第二腔体以及在所述第一腔体和所述第二腔体之间的有源层，
其中，所述第二腔体包括与所述有源层接触的第二-第一腔体和与所述有源层隔开的第二-第二腔体，
其中，所述第二-第一腔体与所述第二-第二腔体直接接触，以及
其中，所述第二导电掺杂层仅被布置在所述第二-第二腔体中，以及
其中，所述第一腔体包括基于AlxGaAs的层，0X1，所述第一腔体中的Al浓度被控制以在所述有源层的方向上降低。
2.根据权利要求1所述的表面发射激光器器件，还包括：
孔径区域，所述孔径区域被布置在所述有源区和所述第二反射层之间，
其中，所述第二导电掺杂剂包括碳(C)，以及其中所述第一-第一层比所述第一-第二层更靠近所述孔径区域，
其中，所述第一腔体包括与所述第一反射层接触的第一-第一腔体和与所述有源层接触的第一-第二腔体，
其中，所述第一导电掺杂层仅被布置在与所述第一反射层接触的所述第一-第一腔体中，以及
其中，所述第一导电掺杂层的掺杂浓度从所述有源层的方向在所述第一反射层的方向上增加。
3.根据权利要求2所述的表面发射激光器器件，其中，所述第二反射层包括第三组第二反射层，所述第三组第二反射层被布置为比所述第一组第二反射层更靠近所述孔径区域，以及
其中，所述第三组第二反射层的平均第二导电掺杂浓度小于所述第一组第二反射层的平均第二导电掺杂浓度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州乐琻半导体有限公司，未经苏州乐琻半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910011551.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种半导体激光器及激光器芯片
- 下一篇：一种半导体激光器及其制备方法
