[发明专利]一种显示面板和显示装置有效
申请号: | 201910012335.8 | 申请日: | 2019-01-07 |
公开(公告)号: | CN109742111B | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 王有为;张嵩;蔡鹏 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 显示装置 | ||
本发明涉及显示技术领域,公开一种显示面板和显示装置,显示面板包括显示区和开口区,所述开口区用于设置光学组件,所述显示区至少部分包围所述开口区;所述显示区设有靠近所述开口区的边缘像素界定结构以及远离所述开口区的常规像素界定结构;所述边缘像素界定结构的反射率大于所述常规像素界定结构的反射率。上述显示面板,对靠近开口区的边缘像素界定结构进行了设置,使其反射率大于远离开口区的常规像素界定结构的反射率,从而,增加了开口区边缘的光线反射,使到达开口区的光线减少,进而可以提高开口区的对比度,因此,可以改善开口区光学组件的性能,为后续安装光学组件提供保障。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
有机电致发光器(OLED)由于具有自发光、高亮度、高对比度、低工作电压、可制作柔性显示等特点,被称为最有应用前景的显示器件。
目前,随着全面屏及窄边框的发展要求,现有的OLED显示面板上一般都设置有用于安装光学组件(如摄像头)的开口区,同时,要求开口区边缘的发光区域需要进行正常显示;这也随之产生了一些问题,具体如,显示区域光线会向开口区反射,从而导致开口区边缘有一定漏光出现,进而导致开口区对比度降低,因此,后续安装的光学组件的功能也会受到影响。
发明内容
本发明公开了一种显示面板和显示装置,目的是提高OLED显示面板开口区的对比度,以改善开口区光学组件的性能。
为达到上述目的,本发明提供以下技术方案:
一种显示面板,包括显示区和开口区,所述开口区用于设置光学组件,所述显示区至少部分包围所述开口区;
所述显示区设有靠近所述开口区的边缘像素界定结构以及远离所述开口区的常规像素界定结构;所述边缘像素界定结构的反射率大于所述常规像素界定结构的反射率。
上述显示面板,对靠近开口区的边缘像素界定结构进行了设置,使其反射率大于远离开口区的常规像素界定结构的反射率,从而,增加了开口区边缘的光线反射,可以使到达开口区的光线减少,进而可以提高开口区的对比度,因此,可以改善开口区光学组件的性能,为后续安装光学组件提供保障。
可选的,所述显示区包括阵列分布的OLED显示单元;所述边缘像素界定结构包括位于相邻OLED显示单元之间、且沿所述开口区至远离所述开口区的方向排列的至少两层阻挡墙。
可选的,靠近开口区的所述阻挡墙的高度大于远离开口区的所述阻挡墙的高度。
可选的,所述阻挡墙包括阻隔层和包覆在所述阻隔层外面的界定层。
可选的,每个所述OLED显示单元包括依次层叠于基板上的阳极层、发光层和阴极层;
所述边缘像素界定结构的阻隔层与所述阳极层的材料相同且同层制备;所述边缘像素界定结构的界定层与所述常规像素界定结构的材料相同且同层制备。
可选的,所述边缘像素界定结构的表面设有反射凸起。
可选的,所述边缘像素界定结构的材料为不透光材料。
可选的,所述边缘像素界定结构与所述开口区之间的距离小于400nm;所述常规像素界定结构与所述开口区的距离大于或等于400nm。
可选的,所述光学组件为光学摄像头。
一种显示装置,包括上述任一技术方案所述的显示面板。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种显示面板的部分结构示意图;
图2为本发明实施例提供的一种显示面板沿图1中A-A方向的剖面结构示意图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910012335.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种镜像报文的方法和装置
- 下一篇:像素电路及其驱动方法、显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的