[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201910012387.5 | 申请日： | 2019-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN109768132B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 丁涛;周飚;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/20;H01L33/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的石墨烯层、InGaN量子点层、未掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层及P型GaN层，其中，所述InGaN量子点层的厚度为1～10nm，所述InGaN量子点层包括多个均布在所述石墨烯层上且相互间隔的InGaN量子点结构，所述InGaN量子点结构为所述未掺杂GaN层的成核点。
2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述石墨烯层的厚度为1～100nm。
3.一种发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上生长石墨烯层；
在反应腔的温度为700～800℃时，向反应腔内通入NH3、100～2000sccm的In源与Ga源，在所述石墨烯层上生长InGaN量子点层，所述InGaN量子点层的厚度为1～10nm，所述InGaN量子点层包括多个均布在所述石墨烯层上且相互间隔的InGaN量子点结构；
向所述反应腔内通入NH3与Ga源，以所述InGaN量子点结构为成核点，生长未掺杂GaN层；
在所述未掺杂GaN层上生长N型GaN层；
在所述N型GaN层上生长多量子阱层；
在所述多量子阱层上生长P型GaN层。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在所述石墨烯层上生长InGaN量子点层时，向反应腔内通入100～1000sccm的Ga源。
5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在所述石墨烯层上生长InGaN量子点层时，向反应腔内通入1000～40000sccm的NH3。
6.根据权利要求3～5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述InGaN量子点层的生长时间为1～10min。
7.根据权利要求3～5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述未掺杂GaN层的生长时间为1～20min。
8.根据权利要求3～5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述石墨烯的生长温度为1000～1500℃。
9.根据权利要求3～5任一项所述的制备方法，其特征在于，在所述石墨烯层上生长InGaN量子点层时，使用氢气与氮气作为载气向反应腔内通入NH3、In源与Ga源。
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