[发明专利]半导体封装及制造半导体封装的方法

权利要求书

1.一种半导体芯片结构，其包括：

衬底，其具有顶部表面、底部表面，及连接所述顶部表面及所述底部表面的侧表面，其中所述侧表面包括：

第一部分，其具有第一表面粗糙度且接近所述顶部表面；及

第二部分，其具有第二表面粗糙度且接近所述底部表面；

其中所述第一表面粗糙度大于所述第二表面粗糙度。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片结构，其中所述第一部分的最低点比所述第二部分的最高点更远离所述顶部表面。

3.根据权利要求1所述的半导体芯片结构，其中所述第一部分包括抛物线。

4.根据权利要求1所述的半导体芯片结构，其进一步包括在所述第一部分处的金属迹线。

5.根据权利要求1所述的半导体芯片结构，其中所述第一部分的竖直尺寸在约8μm到约17μm的范围中。

6.根据权利要求1所述的半导体芯片结构，其中所述侧表面包括具有大于3的介电常数的介电材料。

7.一种半导体封装，其包括：

衬底，其具有顶部表面及底部表面；

活动区，其接近所述顶部表面；及

非活动区，其围绕所述活动区，其中所述非活动区包括：

第一侧表面；

第二侧表面；及

连接所述第一侧表面及所述第二侧表面的峰。

8.根据权利要求7所述的半导体封装，其进一步包括在所述第一侧表面处的金属迹线。

9.根据权利要求7所述的半导体封装，其进一步包括：

在所述活动区中且接近所述顶部表面的重分布层。

10.根据权利要求7所述的半导体封装，其进一步包括在所述活动区与所述非活动区之间的密封环结构。

11.一种晶片切片方法，其包括：

通过沿着所述晶片的非活动区施加激光束以移除所述非活动区的第一部分来形成第一沟槽，其中所述非活动区包围所述晶片的活动区；及

通过沿着所述第一沟槽施加第一锯片以移除所述非活动区的第二部分来形成第二沟槽；

其中所述第二沟槽与所述第一沟槽部分地重叠。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一沟槽包括从约8μm到约17μm的竖直尺寸。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述激光束包括通过小于所述非活动区的宽度的距离间隔开的两个平行光束。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述第二沟槽的最大宽度比所述两个平行光束的所述距离窄。

15.根据权利要求13所述的方法，其中所述第一锯片的宽度与所述两个平行光束的间隔的比率在约0.6到约0.8的范围内。

16.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一沟槽包括抛物线截面，所述抛物线截面的顶点不与所述第二沟槽重叠。

17.根据权利要求11所述的方法，其中所述非活动区包括金属垫，并且移除所述非活动区的所述第一部分包括移除所述金属垫的第一部分。

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述第一沟槽穿透所述金属垫。

19.根据权利要求17所述的方法，其中移除所述非活动区的所述第二部分包括移除所述金属垫的第二部分。

20.根据权利要求19所述的方法，在移除所述非活动区的所述第二部分之后，所述非活动区的第三部分包括所述金属垫的第三部分。