[发明专利]多晶硅的刻蚀方法

权利要求书

1.一种多晶硅的刻蚀方法，其特征在于：通过对需要刻蚀的多晶硅的不同部分掺入不同类型的杂质，或者掺入同类型但不同浓度的杂质，然后进行刻蚀来控制不同部位的刻蚀速率。

2.如权利要求1所述的多晶硅的刻蚀方法，其特征在于：所述的掺杂，当多晶硅掺入N型杂质时，刻蚀速率会变快，杂质浓度越高刻蚀速率越快；当多晶硅掺入P型杂质时，刻蚀速率会变慢，杂质浓度越高刻蚀速率越慢。

3.如权利要求1所述的多晶硅的刻蚀方法，其特征在于：所述的掺杂是掺入能形成N型或者P型的所有杂质。

4.如权利要求2所述的多晶硅的刻蚀方法，其特征在于：通过对掺杂类型或者掺杂的浓度进行调整，能刻蚀出不同的多晶硅形貌。

5.如权利要求4所述的多晶硅的刻蚀方法，其特征在于：当多晶硅上层为N型掺杂，下层为P型掺杂，或者多晶硅上下层为同类型的N型杂质且上层浓度高于下层，则多晶硅刻蚀时上层的刻蚀速率快于下层；当多晶硅上层为P型掺杂，下层为N型掺杂，或者多晶硅上下层为同类型的P型杂质且上层浓度高于下层，则多晶硅刻蚀时上层的刻蚀速率慢于下层。