[发明专利]半导体激光器有效
| 申请号： | 201910015103.8 | 申请日： | 2019-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN109638640B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 林宏翔;刘佟;崔晗;蔡昭权;魏晓慧 | 申请（专利权）人： | 惠州学院 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/062;H01S5/125 |
| 代理公司： | 广东创合知识产权代理有限公司 44690 | 代理人： | 韩淑英 |
| 地址： | 516001 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 | ||
1.一种半导体激光器，定义一XYZ空间直角坐标系，其特征在于，包括：
位于Z轴方向前方和后方的电极；
位于电极之间的有源区，其用于在电极通电时产生激光，所述有源区的主延伸平面平行于XY轴定义的平面；
位于有源层的Z轴方向前方和后方以及位于有源区周侧的波导层；以及
位于波导层的Y轴方向前方和后方的反射层，所述半导体激光器的激光射出口形成在位于Y轴方向前方的反射层上；
其中，所述有源区的Y轴方向的前方和后方中的至少一个方向上还形成有用于将偏振方向平行于X轴方向的激光筛选出来的布儒斯特窗；
所述布儒斯特窗是通过在半导体材料上进行刻蚀形成的，定义布儒斯特角为θ，则所述布儒斯特窗相对Y轴的倾斜角度为θ或π-θ，且布儒斯特角θ与真空折射率n2和半导体材料折射率n1的关系为。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，定义布儒斯特窗中的真空在Y轴方向的等效宽度为D’、激光谐振腔内介质在Y轴方向的等效宽度为L’，激光波长为λ，则，m为正整数。
3.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述布儒斯特窗中单层真空区域的宽度为50um-100um。
4.根据权利要求2所述的半导体激光器，其特征在于，所述有源区和形成所述布儒斯特窗的半导体材料包括InGaAsP半导体材料。
5.根据权利要求2所述的半导体激光器，其特征在于，所述有源区的Y轴方向的前方和后方均形成有用于将偏振方向平行于X轴方向的激光筛选出来的布儒斯特窗。
6.根据权利要求2所述的半导体激光器，其特征在于，为分布式布拉格反射激光器，所述布儒斯特窗位于有源区和分布式布拉格反射区之间，且在Z轴方向上位于绝缘层和衬底层之间，在Z轴方向上的宽度为50um-100um。
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