[发明专利]一种Micro LED及其阵列基板、检测设备和检测方法

说明书

本发明提供一种Micro LED及其阵列基板、检测设备和检测方法，其中Micro LED位于衬底基板上，包括：N型半导体层；P型半导体层；位于N型半导体层和P型半导体层之间的发光层；与所述N型半导体层接触的N型电极；与所述P型半导体层接触的P型电极；所述P型电极和所述N型电极在所述衬底基板上的正投影不重合，且所述P型电极和所述N型电极的高度差大于或者等于3微米。由于P型电极与N型电极之间的高度差较大，因此可以在不封装的情况下，直接利用检测设备对Micro LED的两个电极加电后进行亮度检测时。若检测出来某些Micro LED的亮度不满足要求，即可进行更换掉，将符合要求的Micro LED进行封装使用，检测和更换Micro LED的操作简单，成本较低。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种Micro LED及其阵列基板、检测设备和检测方法。

背景技术

微发光二极体(Micro LED)为自发光结构，无需背光源，体积缩至纳米级。MicroLED显示器是微型化LED阵列，也就是将LED结构设计进行薄膜化、微小化及阵列化后，巨量地转移到电路基板上，再利用物理沉积技术生成保护层，即可形成纳米级间距的LED。

Micro LED在使用之前需要测试亮度是否正常。现有的Micro LED封装后才能加电测试，加电测试过程主要包括：将Micro LED在累晶、器件制作好后，通过巨量转移技术将Micro LED转移到电路基板上,然后制作加电的连接金属线等控制器件，以实现加电测试。但是，由于加电测试过程已经制作了连接金属线和保护层，不易更换亮度异常的MicroLED。

因此，亟需一种不需要封装即可进行加电检测的Micro LED。

发明内容

本发明实施例提供一种不需要封装即可进行加电检测的Micro LED及其阵列基板、以及匹配的检测设备和检测方法。

为了达到上述目的，本发明实施例提供的具体方案如下：

第一方面，本发明实施例提供了一种Micro LED，位于衬底基板上，所述Micro LED包括：

N型半导体层；

P型半导体层；

位于N型半导体层和P型半导体层之间的发光层；

与所述N型半导体层接触的N型电极；

与所述P型半导体层接触的P型电极；

所述P型电极和所述N型电极在所述衬底基板上的正投影不重合，且所述P型电极和所述N型电极的高度差大于或者等于3微米。

可选的，所述Micro LED位于所述衬底基板上的外延层上，所述外延层包括相互独立的第一区域和第二区域，第一区域和第二区域存在厚度差；

所述N型半导体层位于整个所述外延层上，所述N型电极位于所述N型半导体层上且所述N型电极在所述外延层上的正投影落入所述第一区域；

所述发光层位于所述N型半导体层上且所述发光层在所述外延层上的正投影落入所述第二区域，所述P型半导体层位于所述发光层上，所述P型电极位于所述P型半导体层上。

可选的，所述N型半导体层包括第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分存在厚度差；

所述N型半导体位于整个衬底基板上，所述N型电极位于所述N型半导体的所述第一部分上；

所述发光层位于所述N型半导体层的第二部分上，所述P型半导体层位于所述发光层上，所述P型电极位于所述P型半导体上且所述P型电极在所述N型半导体层上的正投影落入所述第二部分。