[发明专利]多层陶瓷电容器有效
申请号: | 201910015374.3 | 申请日: | 2019-01-08 |
公开(公告)号: | CN110880420B | 公开(公告)日: | 2023-07-21 |
发明(设计)人: | 李镇宇;具贤熙;曺义铉;李种晧;金恩珍;崔惠英 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H01G4/252 | 分类号: | H01G4/252;H01G4/232;H01G4/30 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 武慧南;刘奕晴 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多层 陶瓷 电容器 | ||
1.一种多层陶瓷电容器,包括:
主体,包括介电层和内电极;以及
外电极,设置在所述主体上,
其中,所述外电极包括:电极层,连接到所述内电极;第一镀覆部,设置在所述电极层上并具有范围为从0.3μm至1μm的厚度;第二镀覆部,设置在所述第一镀覆部上,
其中,所述电极层包括导电金属和玻璃,
其中,所述第二镀覆部包括依次设置在所述第一镀覆部上的Ni镀层和Sn镀层,并且
其中,所述第一镀覆部是Sn镀层,所述第一镀覆部和所述第二镀覆部具有设置在所述第一镀覆部和所述第二镀覆部之间的界面区域处的Sn-Ni金属间化合物层。
2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器,其中,所述第一镀覆部覆盖所述电极层的面积的90%或更大。
3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器,其中,所述第二镀覆部的所述Ni镀层具有范围为从1μm至10μm的厚度,并且所述第二镀覆部的所述Sn镀层具有范围为从1μm至10μm的厚度。
4.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器,其中,所述导电金属为Cu。
5.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器,其中,所述介电层具有0.4μm或更小的厚度。
6.根据权利要求5所述的多层陶瓷电容器,其中,所述内电极具有0.4μm或更小的厚度。
7.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器,其中,所述内电极具有0.4μm或更小的厚度。
8.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器,其中,所述内电极包括第一内电极和第二内电极,所述主体包括:形成电容的电容形成部,所述电容形成部包括所述第一内电极和所述第二内电极,所述第一内电极和所述第二内电极设置为彼此相对,且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间;和覆盖部,分别设置在所述电容形成部的上部和下部上,并且所述覆盖部中的每个具有20μm或更小的厚度。
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