[发明专利]用于包括QLC单元的存储器装置的编码方法及系统

权利要求书

1.一种存储器系统，包括：

存储器装置，包括四层单元，即QLC；以及

控制器，包括：

第一编码器，基于约束码对第一组数据进行编码以生成第三组数据，所述第一组数据对应于多个逻辑页面中的第一逻辑页面和第三逻辑页面；以及

第二编码器，基于格雷码对第二组数据和所述第三组数据进行编码，以生成对应于多个编程电压电平，即PV电平的编码顺序，所述第二组数据对应于所述多个逻辑页面中的第二逻辑页面和第四逻辑页面。

2.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述控制器控制所述存储器装置以将所述编码顺序编程在所述存储器单元中。

3.根据权利要求1所述的存储器系统，进一步包括：

第三编码器，基于错误校正码分别对所述第二组数据和所述第三组数据进行编码，以生成错误校正数据以用于基于所述格雷码进行编码。

4.根据权利要求3所述的存储器系统，其中所述第一编码器对所述第一组数据进行编码以生成串行输出的约束编码数据。

5.根据权利要求4所述的存储器系统，进一步包括：

串行-并行转换器，将串行输出的所述约束编码数据转换成并行编码数据以用于基于所述错误校正码进行编码。

6.根据权利要求4所述的存储器系统，其中所述第三编码器包括：

第一组编码器，分别对包括在所述第三组数据中的、与所述第一逻辑页面和所述第三逻辑页面对应的第一并行编码数据和第三并行编码数据进行编码；以及

第二组编码器，分别对包括在所述第二组数据中的、与所述第二逻辑页面和所述第四逻辑页面对应的第二并行编码数据和第四并行编码数据进行编码。

7.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述第一逻辑页面包括最高有效位页面，即MSB页面，

所述第二逻辑页面包括最高中间有效位页面，即MCSB页面，

所述第三逻辑页面包括最低中间有效位页面，即LCSB页面，以及

所述第四逻辑页面包括最低有效位页面，即LSB页面。

8.根据权利要求7所述的存储器系统，其中所述约束码包括使得在所述编码顺序之中，与处于16个PV电平中的低PV电平和高PV电平的MSB页面和LCSB页面对应的位具有某种模式的值的码。

9.根据权利要求8所述的存储器系统，其中在所述编码顺序之中，与处于所述低PV电平的MSB页面和LCSB页面对应的位具有模式“11”的值。

10.根据权利要求9所述的存储器系统，其中在所述编码顺序之中，与处于所述高PV电平的MSB页面和LCSB页面对应的位具有模式“10”的值。

11.一种操作存储器系统的方法，所述存储器系统包括包含四层单元，即QLC的存储器装置，所述方法包括：

基于约束码对第一组数据进行编码以生成第三组数据，所述第一组数据对应于多个逻辑页面中的第一逻辑页面和第三逻辑页面；以及

基于格雷码对第二组数据和所述第三组数据进行编码，以生成对应于多个编程电压电平，即PV电平的编码顺序，所述第二组数据对应于所述多个逻辑页面中的第二逻辑页面和第四逻辑页面。

12.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：

将所述编码顺序编程在所述存储器装置的所述四层单元中。

13.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：

基于错误校正码分别对所述第二组数据和所述第三组数据进行编码，以生成错误校正数据以用于基于所述格雷码进行编码。

14.根据权利要求13所述的方法，其中编码所述第一组数据包括对所述第一组数据进行编码以生成串行输出的约束编码数据。