[发明专利]辅助和操作存储器单元的方法以及存储器电路有效
申请号: | 201910016982.6 | 申请日: | 2019-01-08 |
公开(公告)号: | CN110880348B | 公开(公告)日: | 2021-11-12 |
发明(设计)人: | 周志贤;石维强 | 申请(专利权)人: | 円星科技股份有限公司 |
主分类号: | G11C11/417 | 分类号: | G11C11/417;G11C8/08 |
代理公司: | 北京天驰君泰律师事务所 11592 | 代理人: | 孟锐 |
地址: | 中国台湾新竹县3*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 辅助 操作 存储器 单元 方法 以及 电路 | ||
1.一种在一存取操作中辅助一存储器单元的方法,该存取操作是因应供应至该存储器单元的一供应电压而启动,该方法的特征在于包含以下步骤:
设定该供应电压为一第一供应电压位准,以决定一参考概率值,该参考概率值代表该存储器单元的一存取失败概率于该第一供应电压位准施加至该存储器单元时具有的概率值;
施加一辅助电压至该存储器单元所耦接的一存取线,并设定该供应电压为一第二供应电压位准,以决定该辅助电压的电压位准与该存储器单元的该存取失败概率于该第二供应电压位准施加至该存储器单元时具有的概率值两者之间的一对应关系,该第二供应电压位准不同于该第一供应电压位准;
由该对应关系决定一目标辅助电压位准,其中该目标辅助电压位准是该存储器单元的该存取失败概率于该第一供应电压位准施加至该存储器单元时具有的概率值所对应的该辅助电压的电压位准;以及
提供一辅助电路,该辅助电路用以在该存取操作中将该辅助电压的电压位准设为该目标辅助电压位准并将该辅助电压施加至该存取线,其中在该存取操作中,该第二供应电压位准会施加于该存储器单元。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,设定该供应电压为该第一供应电压位准,以决定该参考概率值的步骤包含:
进行一统计模拟,以计算将该第一供应电压位准施加至该存储器单元时该存储器单元的该存取失败概率,并获取该参考概率值。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,决定该辅助电压的电压位准与将该第二供应电压位准施加至该存储器单元时该存储器单元的该存取失败概率的概率值两者之间的该对应关系的步骤包含:
将该辅助电压的电压位准设为多个不同的辅助电压位准并将该辅助电压施加至该存取线,以分别决定该存储器单元的该存取失败概率的多个概率值;以及
对该些辅助电压位准及该些概率值进行一线性回归,以决定该辅助电压的电压位准与将该第二供应电压位准施加至该存储器单元时该存储器单元的该存取失败概率的概率值两者之间的该对应关系。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,决定该辅助电压的电压位准与将该第二供应电压位准施加至该存储器单元时该存储器单元的该存取失败概率的概率值两者之间的该对应关系的步骤包含:
进行多个统计模拟,以计算将该第二供应电压位准施加至该存储器单元时该存储器单元的该存取失败概率的多个概率值,其中该些概率值分别对应于用来设定施加至该存取线的该辅助电压的电压位准的多个不同的辅助电压位准;以及
根据该些不同的辅助电压位准及该些概率值,决定该辅助电压的电压位准与将该第二供应电压位准施加至该存储器单元时该存储器单元的该存取失败概率的概率值两者之间的该对应关系。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,该第一供应电压位准大于该第二供应电压位准。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,还包含:
通过将该第二供应电压位准与一预定供应电压降相加,以计算该第一供应电压位准。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,该存取操作是一读取操作,该存取线是该存储器单元所耦接的一字线,且该供应电压是经由该字线而供应至该存储器单元。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,该存取操作是一写入操作,该存取线是该存储器单元所耦接的一位线,且该供应电压是经由该存储器单元所耦接的一字线而供应至该存储器单元。
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