[发明专利]一种高性能太阳能选择性吸收涂层及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种高性能太阳能选择性吸收涂层，其特征在于，包括在基体上依次设置的TiAlN层、TiAlON层、TiAlSiON层、TiAlSiO层和AlSiO层；

所述TiAlN层含有如下原子百分比的组分：Ti 28~36%，Al 22~29%，N 38~45%；

所述TiAlON层含有如下原子百分比的组分：Ti 20~31%，Al 20~26%，O 15~25%，N 25~35%；

所述TiAlSiON层含有如下原子百分比的组分：Ti 21~26%，Al 18~20%，Si 12~15%，O 18~20%，N 25~28%；

所述TiAlSiO层含有如下原子百分比的组分：Ti 18~27%，Al 15~20%，Si 25~30%，O 25~35%；

所述AlSiO层含有如下原子百分比的组分：Al 30~40%，Si 24~33%，O 35~44%；

所述TiAlN层、TiAlON层、TiAlSiON层、TiAlSiO层和AlSiO层中金属的原子百分比依次减小，可见光的折射率依次减小，透过率逐渐增大；

所述TiAlN层的厚度为30nm；

所述TiAlON层的厚度为50nm。

2.根据权利要求1所述的高性能太阳能选择性吸收涂层，其特征在于，所述TiAlN层含有如下原子百分比的组分：Ti 28~35%，Al 25~29%，N 39~43%。

3.根据权利要求1所述的高性能太阳能选择性吸收涂层，其特征在于，所述TiAlON层含有如下原子百分比的组分：Ti 24~30%，Al 23~25%，O 16~20%，N 29~33%。

4.权利要求1~3任一项所述高性能太阳能选择性吸收涂层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1. 在基体表面沉积TiAlN层；

S2. 在步骤S1中的TiAlN层上沉积TiAlON层；

S3. 在步骤S2中的TiAlON层上沉积TiAlSiON层；

S4. 在步骤S3中的TiAlSiON层上沉积TiAlSiO层；

S5. 在步骤S4中的TiAlSiO层上沉积AlSiO层。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中所述沉积的条件为：通入N₂ 并调整工作气压为0.5~1.2 Pa，温度为300~500 ℃，开启Ti和Al靶材，开启中频电源并调整功率为100~500 W。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤S2中所述沉积的条件为：通入N₂ 和O₂ 并调整O₂ ∶N₂ 为1∶3~3∶1，工作气压为0.5~1.5 Pa，温度为300~500 ℃，溅射功率为400~1000 W。

7.权利要求1~3任一项所述高性能太阳能选择性吸收涂层在制备太阳能热水器或太阳能发电装置中的应用。