[发明专利]等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，所述等离子体处理装置包括：

腔室；

多个介电窗，覆盖所述腔室的顶部；

盖框架，在同一平面上支撑所述多个介电窗；

多个支撑杆，支撑所述盖框架的顶部；以及

多个天线，位于所述多个介电窗上方，

其中，所述多个天线包括：第一天线，位于由所述多个支撑杆限定的区域内部，并具有环形形式；以及第二天线，位于由所述多个支撑杆限定的所述区域外部，并具有环形形式，并且

其中，所述第一天线中的第一电流方向与所述第二天线中的第二电流方向彼此相同。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，

其中，所述多个天线还包括位于所述第一天线内部并具有环形形式的第三天线，并且

其中，所述第三天线中的第三电流方向与所述第一电流方向不同。

3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，

其中，所述多个天线还包括位于所述第二天线外部并具有环形形式的第四天线，并且

其中，所述第四天线中的第四电流方向与所述第二电流方向不同。

4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，所述等离子体处理装置还包括：

多个排气口，位于所述腔室的底部处；以及

多个第一注射喷嘴，在所述腔室的所述顶部处设置为与所述多个排气口竖直地相邻，

其中：

所述多个第一注射喷嘴被分组，每组第一注射喷嘴连接到同一注射通道，并且

所述多个第一注射喷嘴中的每组第一注射喷嘴与所述多个排气口中的相应排气口对应。

5.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，所述等离子体处理装置还包括位于所述多个介电窗的一部分处的多个注射喷嘴，

其中，所述多个注射喷嘴包括多个第一注射喷嘴，所述多个第一注射喷嘴位于设置在所述多个介电窗的最外围的边缘处的多个第一介电窗处，并且

其中，所述多个注射喷嘴还包括多个第二注射喷嘴，所述多个第二注射喷嘴位于设置为与所述腔室的中心部分相邻的多个第二介电窗处。

6.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，

其中，所述多个第一注射喷嘴沿所述多个第一介电窗的阵列以环形形式布置，并且

其中，所述多个第二注射喷嘴沿至少两条平行直线布置。

7.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，所述等离子体处理装置还包括：

多个排气口，位于所述腔室处；以及

目标基底，在平面图中位于所述多个排气口内部，

其中：

所述目标基底包括使用区域和非使用区域，并且

与所述非使用区域相邻的第一排气口的开口比大于与所述使用区域相邻的第二排气口的开口比。

8.根据权利要求7所述的等离子体处理装置，其中，所述第二排气口位于所述腔室的多个底部角之中的与所述使用区域相邻的底部角处。

9.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，所述等离子体处理装置还包括：

目标基底；以及

多个冷却通道，位于所述腔室的底壁与所述目标基底之间，

其中，所述多个冷却通道包括：内循环通道；以及外循环通道，位于所述内循环通道外部，并且

其中，流入所述内循环通道中的内冷却流体的温度比流入所述外循环通道中的外冷却流体的温度高。

10.根据权利要求9所述的等离子体处理装置，其中，所述内循环通道的进口和所述外循环通道的进口位于所述内循环通道的集中区域中，并且

其中，所述外循环通道的最外部的角具有比所述外循环通道的剩余部分的平均直径大的直径。