[发明专利]电化学装置及其形成方法

权利要求书

1.一种电化学装置，包括：

正电极集流体；

多个正电极，设置在所述正电极集流体上；

电解质层，设置在所述多个正电极上；

负电极，设置在所述电解质层上；以及

负电极集流体，设置在所述负电极上，

其中所述电解质层包括第一电解质层和第二电解质层，以及其中所述第二电解质层在所述第一电解质层与所述负电极之间。

2.根据权利要求1所述的电化学装置，包括：

第一突出部分，包括所述多个正电极中的正电极，其中相邻的正电极在所述多个正电极中的所述相邻的正电极之间限定第一凹进部分，

其中所述电解质层包括第二突出部分和第二凹进部分，其中所述第二突出部分设置在所述第一突出部分上，以及其中所述第二凹进部分在所述第一凹进部分上。

3.根据权利要求2所述的电化学装置，

其中所述第一电解质层包括第三突出部分和第三凹进部分，所述第三突出部分设置在所述第一突出部分上，并且所述第三凹进部分设置在所述第一凹进部分上，以及

其中所述第二电解质层包括第四突出部分和第四凹进部分，所述第四突出部分设置在所述第三突出部分上，并且所述第四凹进部分设置在所述第三凹进部分上。

4.根据权利要求3所述的电化学装置，

其中所述第一电解质层的所述第三凹进部分包括侧表面，以及

其中所述第一电解质层在靠近所述正电极集流体的位置处的厚度大于所述第一电解质层在远离所述正电极集流体的位置处的厚度。

5.根据权利要求4所述的电化学装置，

其中构成所述第三凹进部分的侧表面的所述第一电解质层包括具有约2微米或更大厚度的部分。

6.根据权利要求4所述的电化学装置，

其中构成所述第三凹进部分的所述侧表面的所述第一电解质层的所述厚度在所述第三凹进部分的总深度的约10％至约90％之间的位置处最薄。

7.根据权利要求4所述的电化学装置，

其中所述第三凹进部分的靠近所述正电极集流体的表面是弯曲表面。

8.根据权利要求7所述的电化学装置，

其中所述弯曲表面在所述正电极集流体的方向上凸起地设置，以及其中所述弯曲表面具有约10微米或更大的曲率半径。

9.根据权利要求4所述的电化学装置，

其中所述第三凹进部分的靠近所述正电极集流体的表面的至少一部分是平坦表面，以及

其中所述第三凹进部分的靠近所述正电极集流体的所述表面与所述第三凹进部分的所述侧表面之间的连接部分是弯曲表面。

10.根据权利要求3所述的电化学装置，

其中所述第一电解质层的所述第三突出部分的远离所述正电极集流体的表面是弯曲表面。

11.根据权利要求10所述的电化学装置，

其中所述弯曲表面在与所述正电极集流体相反的方向上凸起地设置，以及

其中所述弯曲表面具有10微米或更大的曲率半径。

12.根据权利要求3所述的电化学装置，

其中所述第二电解质层的所述第四凹进部分包括侧表面，以及其中构成所述第四凹进部分的所述侧表面的所述第二电解质层的厚度在所述第四凹进部分的靠近所述正电极集流体的位置处最薄。

13.根据权利要求12所述的电化学装置，

其中构成所述第四凹进部分的所述侧表面的所述第二电解质层的所述厚度在朝向所述第四凹进部分的靠近所述正电极集流体的所述部分的方向上减小。