[发明专利]半导体装置

说明书

一种半导体装置具备：包括第1导电型的第1半导体层的半导体部；设置在半导体部上的第1电极；被第1电极包围的第2电极；被第2电极包围的第3电极。半导体部还包括：选择性设置在第1半导体层与第1电极之间的第2导电型的第2半导体层；选择性设置在第2半导体层与第1电极之间的第1导电型的第3半导体层；具有设置在第1半导体层与第2电极及第3电极间的主部和设置在第1半导体层与第1电极间的外缘部的第2导电型的第4半导体层；选择性设置在第4半导体层中并具有与第1电极电连接的部分的第1导电型的第5半导体层；以及，具备设置在第4半导体层中的与第5半导体部分离的位置且与第3电极电连接的部分的第1导电型的第6半导体层。

关联申请

本申请享受以日本专利申请2018－168849号(申请日：2018年9月10日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

实施方式涉及半导体装置。

背景技术

在半导体装置的制造过程中，为了避免实用时的偶发故障，优选实施初始筛选。例如，通过向MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)的栅极电极与背栅之间施加超过栅极电压的额定值的高电压，能够除去栅极绝缘膜的初始不良。但是，保持能够向栅极绝缘膜施加高电压的构造不变的情况下，无法避免在筛选后超过额定值的高电压被施加到栅极绝缘膜而栅极绝缘膜受到损伤的情况。

发明内容

实施方式提供使栅极绝缘膜的可靠性提高的半导体装置。

实施方式的半导体装置具备：半导体部，包括第1导电型的第1半导体层；第1电极，设置在上述半导体部上；第2电极，隔着第1绝缘膜设置在上述半导体部上，在从上方观察被上述第1电极包围的位置处，与上述第1电极分离地设置；第3电极，设置在上述半导体部上，在从上方观察被上述第2电极包围的位置处，与上述第2电极分离地设置；以及控制电极，设置在上述半导体部与上述第1电极之间，隔着第2绝缘膜而与上述半导体部电绝缘，隔着第3绝缘膜而与上述第1电极电绝缘。上述半导体部还包括第2导电型的第2半导体层、第1导电型的第3半导体层、第2导电型的第4半导体层、第1导电型的第5半导体层、以及第1导电型的第6半导体层。上述第2半导体层选择性地设置在上述第1半导体层与上述第1电极之间，上述第3半导体层选择性地设置在上述第2半导体层与上述第1电极之间，且与上述第1电极电连接。上述第4半导体层具有设置在上述第1半导体层与上述第2电极之间以及上述第1半导体层与上述第3电极之间的主部、和设置在上述第1半导体层与上述第1电极之间的外缘部。上述第5半导体层选择性地设置在上述第4半导体层中，具有位于上述第4半导体层的上述外缘部与上述第1电极之间、并与上述第1电极电连接的部分。上述第6半导体层设置在上述第4半导体层中的与上述第5半导体层分离的位置，具有位于上述第4半导体层的上述主部与上述第3电极之间、并与上述第3电极电连接的部分。上述控制电极配置在隔着上述第2绝缘膜而与上述第1半导体层、上述第2半导体层以及上述第3半导体层面对的位置。

附图说明

图1(a)以及图1(b)是表示实施方式的半导体装置的示意图。

图2是表示实施方式的半导体装置的电路图。

图3(a)以及图3(b)是表示实施方式的半导体装置的安装形态的示意图。

图4是表示实施方式的变形例的半导体装置的示意图。

图5(a)以及图5(b)是表示实施方式的其他变形例的半导体装置的示意图。

具体实施方式