[发明专利]软磁性合金及磁性部件有效
申请号: | 201910019043.7 | 申请日: | 2019-01-09 |
公开(公告)号: | CN110033916B | 公开(公告)日: | 2020-12-01 |
发明(设计)人: | 吉留和宏;原田明洋;松元裕之;堀野贤治;长谷川晓斗;荒健辅;天野一;细野雅和 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | H01F1/153 | 分类号: | H01F1/153 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦;陈明霞 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁性 合金 部件 | ||
本发明提供一种提供由组成式(Fe(1‑(α+β))X1αX2β)(1‑(a+b+c+d+e+f+g))MaBbPcSidCeSfTig构成的主成分构成的软磁性合金。X1为选自Co及Ni中的一种以上,X2为选自Al、Mn、Ag、Zn、Sn、As、Sb、Cu、Cr、Bi、N、O及稀土元素中的一种以上,M为选自Nb、Hf、Zr、Ta、Mo、W及V中的一种以上。0.020≤a≤0.14、0.020<b≤0.20、0≤d≤0.060、0≤f≤0.010、0≤g≤0.0010、α≥0、β≥0、0≤α+β≤0.50。f和g中的至少一个以上大于0。c及e在规定的范围内。具有由纳米异质结构或Fe基纳米晶体构成的结构。
技术领域
本发明涉及软磁性合金及磁性部件。
背景技术
近年来,电子、信息、通信设备等寻求低耗电量化及高效化。进而,面向低碳化社会,上述要求更强。因此,电子、信息、通信设备等的电源电路也寻求能量损失的降低及电源效率的提高。而且,用于电源电路的磁性元件的磁芯寻求饱和磁通密度的提高、磁芯损耗(磁芯损失)的降低及磁导率的提高。如果降低磁芯损耗,则电力能量的损耗减小,如果提高磁导率,则能够将磁性元件小型化,因此,能够实现高效化及节能化。
专利文献1中记载有Fe-B-M(M=Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、W)系的软磁性非晶质合金。本软磁性非晶质合金与市售的Fe非晶相比具有高的饱和磁通密度等,具有良好的软磁特性。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:特许第3342767号
发明内容
发明想要解决的技术问题
此外,作为降低上述磁芯的磁芯损耗的方法,考虑降低构成磁芯的磁性体的矫顽力。
记载有专利文献1的Fe基软磁性合金通过析出微细结晶相,提高软磁特性。但是,对能够稳定地析出微细结晶相的组成没有充分探讨。
本发明者们对能够稳定地析出微细结晶相的组成进行了探讨。其结果发现,在与专利文献1所记载的组成不同的组成中,也能够稳定地析出微细结晶相。
本发明的目的在于,提供一种同时具有高的饱和磁通密度及低的矫顽力,进而改善了表面性的软磁性合金等。
用于解决技术问题的手段
为了实现上述目的,本发明的第一方面提供一种软磁性合金,其通过由组成式(Fe(1-(α+β))X1αX2β)(1-(a+b+c+d+e+f+g))MaBbPcSidCeSfTig构成的主成分构成,其特征在于,
X1为选自Co及Ni中的一种以上,
X2为选自Al、Mn、Ag、Zn、Sn、As、Sb、Cu、Cr、Bi、N、O及稀土元素中的一种以上,
M为选自Nb、Hf、Zr、Ta、Mo、W及V中的一种以上,
0.020≤a≤0.14
0.020<b≤0.20
0.040<c≤0.15
0≤d≤0.060
0≤e≤0.030
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