[发明专利]无序工程半导体纳米材料制备系统

权利要求书

1.一种无序工程半导体纳米材料制备系统，其特征在于，包括：

一激光发生装置，其用于发出预设规格的激光；

一分光机构，其用于将所述激光分光以形成N束子激光，其中N为大于1的自然数；

N个透镜，所述N个透镜分别位于所述N束子激光的光路上，以分别用于对对应的子激光进行聚光；

N个靶材座，所述N个靶材座沿着预设球面分布且分别位于所述N束子激光的光路上，所述N个靶材座用于承载不同的靶材，每一所述透镜用于将对应子激光聚焦到对应的靶材座并将对应靶材座上的靶材蒸发形成N道辉羽；

一基片结构，其位于所述N个靶材座上方，所述基片结构用于供该N道辉羽相互作用后在其上沉积形成纳米颗粒层。

2.根据权利要求1所述的无序工程半导体纳米材料制备系统，其特征在于，还包括N个激光能量衰减器；

所述N个激光能量衰减器分别位于所述N束子激光的光路上，且所述激光能量衰减器位于分光机构与对应的透镜之间。

3.根据权利要求1所述的无序工程半导体纳米材料制备系统，其特征在于，所述分光机构包括一反射镜以及至少一个分光镜；

所述反射镜以及至少一个分光镜依次间隔设置，所述至少一个分光镜位于所述反射镜与所述激光发生装置之间，所述激光与所述分光镜的夹角为锐角。

4.根据权利要求1所述的无序工程半导体纳米材料制备系统，其特征在于，还包括一支撑机构，所述N个靶材座设置于所述支撑机构上。

5.根据权利要求4所述的无序工程半导体纳米材料制备系统，其特征在于，所述支撑机构呈半球壳状，所述N个靶材座设置于所述支撑机构的内壁面上。

6.根据权利要求5所述的无序工程半导体纳米材料制备系统，其特征在于，所述N个靶材座的中轴线相交于所述半球壳的球心。

7.根据权利要求1所述的无序工程半导体纳米材料制备系统，其特征在于，还包括一真空室以及用于调节所述真空室内的气压的调节装置，所述透镜、所述靶材座以及所述基片结构均位于所述真空室；所述调节装置与所述真空室连通。

8.根据权利要求7所述的无序工程半导体纳米材料制备系统，其特征在于，所述真空室的侧壁上设置有用于供所述子激光穿过的透光部。

9.根据权利要求7所述的无序工程半导体纳米材料制备系统，其特征在于，还包括一升降机构，所述升降机构设置于所述真空室的内的顶壁上，所述基片结构设置于所述升降机构上，所述升降机构用于调节所述基片结构的竖直高度。

10.根据权利要求1所述的无序工程半导体纳米材料制备系统，其特征在于，所述基片结构包括底座、设置于所述底座上的加热层以及设置于所述加热层上的基片。