[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括相邻的第一区和第二区，所述第一区和第二区沿第一方向排列，所述第一区基底表面具有若干鳍部，相邻鳍部之间具有第一开口，且在第一方向上所述第二区的尺寸大于所述第一开口的尺寸，所述若干鳍部中包括待去除鳍部；

在所述鳍部侧壁形成第一介质层，且所述第一介质层填充满所述第一开口；

以所述第一介质层为掩膜，刻蚀第二区的基底，在第二区基底内形成第一沟槽；

形成所述第一沟槽后，去除所述待去除鳍部和位于所述待去除鳍部底部的部分基底，在第一区基底内形成第二沟槽；

所述第一介质层的形成方法包括：在所述基底表面、鳍部顶部和侧壁形成第一介质膜，所述第一介质膜填充满所述第一开口；回刻蚀所述第一介质膜，直至暴露出第二区基底表面，形成所述第一介质层；

回刻蚀所述第一介质膜的方法包括：采用第一干法刻蚀工艺刻蚀第一介质膜，直至暴露出第二区基底表面；在暴露出第二区基底表面后，采用第二刻蚀工艺，减薄位于鳍部侧壁表面的第一介质膜。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一干法刻蚀工艺的参数包括：采用的气体包括CF₄、CF₆、O₂和N₂，所述CF₄和CF₆的流量为10标准毫升/分钟～300标准毫升/分钟，所述O₂的流量为10标准毫升/分钟～500标准毫升/分钟，所述N₂的流量为50标准毫升/分钟～1000准毫升/分钟，压力为3毫托～400毫托，温度为30摄氏度～120摄氏度。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二刻蚀工艺为SICONI工艺，所述SICONI工艺的参数包括：采用的气体包括NF₃和NH₃，所述NF₃和NH₃的流量为100标准毫升/分钟～5000标准毫升/分钟，温度为0摄氏度～100摄氏度。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一介质膜的形成工艺包括：原子层沉积工艺。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一介质层的材料包括：氧化硅、氮化硅、碳氮化硅、碳化硅、氧化铝、氧化铪、氮氧化硅或碳氧化硅。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，以所述第一介质层为掩膜，刻蚀第二区的基底的工艺包括：湿法刻蚀工艺和干法刻蚀工艺中的一种或者两种组合。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二沟槽的形成方法包括：在所述第一介质层表面及侧壁、以及第一沟槽内形成第二介质层，所述第二介质层顶部表面高于鳍部顶部表面；在所述第二介质层表面形成第一掩膜层，所述第一掩膜层暴露出位于待去除鳍部上的第二介质层表面；以所述第一掩膜层为掩膜，刻蚀所述第二介质层、所述第一介质层、所述待去除鳍部、以及位于所述待去除鳍部底部的第一区基底，在第一区基底内形成第二沟槽。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二介质层的材料包括：有机材料。

9.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，以所述第一掩膜层为掩膜，刻蚀所述第二介质层、所述第一介质层、所述待去除鳍部以及位于所述待去除鳍部底部的第一区基底的工艺包括：湿法刻蚀工艺和干法刻蚀工艺中的一种或者两种组合。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述待去除鳍部的数量是一个或者多个。