[发明专利]一种透明紫外光电子器件的制造方法

权利要求书

1.一种透明紫外光电子器件的制造方法，其特征在于包括如下步骤：

1)在衬底上生长单电导层，所述单电导层为n型或p型掺杂的宽禁带半导体层，

2)在单电导层上生长势垒绝缘层，或者将生长好的势垒绝缘层转移至单导电层上；

4)在所述势垒绝缘层上形成透明电极层，所述透明电极层为纳米线或原子级厚的导电透明二维材料；

5)形成与所述单电导层电连接的金属电极。

2.根据权利要求1所述的一种透明紫外光电子器件的制造方法，其特征在于：所述单电导层包括但不限于n-AlGaN。

3.根据权利要求1所述的一种透明紫外光电子器件的制造方法，其特征在于：所述势垒绝缘层包括但不限于SiO2、AlN、二维h-BN、MoS2、MoSe2、WS2、硅烯、锗烯或黑磷中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的一种透明紫外光电子器件的制造方法，其特征在于：所述透明电极层包括但不限于Ag纳米线、Cu纳米线、合金纳米线、石墨烯中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的一种透明紫外光电子器件的制造方法，其特征在于：所述金属电极与所述单电导层为欧姆接触。