[发明专利]具有负电压处理能力以及恒定导通阻抗的模拟开关在审
| 申请号： | 201910019988.9 | 申请日： | 2019-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN109802663A | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 朱丽丽 | 申请（专利权）人： | 帝奥微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 上海宏威知识产权代理有限公司 31250 | 代理人： | 赵芳梅 |
| 地址： | 226017 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 模拟开关 负电压 衬底 栅极电压控制电路 恒定导通 选择电路 主开关管 阻抗 输入/输出端口 导通阻抗 负电荷泵 工艺影响 输出端 线性度 | ||
1.具有负电压处理能力以及恒定导通阻抗的模拟开关，其特征在于：包括主开关管(11)，衬底选择电路(101)以及栅极电压控制电路(105)；所述主开关管(11)包含输入/输出端口(103)(104)，其衬底与所述衬底选择电路(101)输出端(205)相接，其栅极与所述栅极电压控制电路(105)相接。
2.根据权利要求1所述的具有负电压处理能力以及恒定导通阻抗的模拟开关，其特征在于：所述衬底选择电路(101)包括第一、第二两个开关管(21)(22)，一个比较器(201)和一个反相器(202)。
3.根据权利要求2所述的具有负电压处理能力以及恒定导通阻抗的模拟开关，其特征在于：所述比较器(201)的正相端接所述主开关管(11)的输入端口(103)，负相端接输出端口(104)，所述比较器(201)的输出接反相器(202)的输入端口和所述第二nmos管(22)的的栅极，反相器(202)的输出端口接所述第一nmos管(21)的栅极，所述第二nmos管(22)的漏端接主开关管(11)的端口(104)，所述第一nmos管(21)的漏端接主开关管(11)端口(103)，所述两个nmos管(21)(22)的源端相接。
4.根据权利要求1所述的具有负电压处理能力以及恒定导通阻抗的模拟开关，其特征在于：所述栅极电压控制电路(105)包括一个第一电阻(12)和一个控制电流产生电路(102)。
5.根据权利要求4所述的具有负电压处理能力以及恒定导通阻抗的模拟开关，其特征在于：所述衬底选择电路(101)输出端(205)和所述第一电阻(12)的一端相连接，所述第一电阻(12)的另一端和控制电流产生电路(102)的输出端(303)相接，且该控制电流产生电路(102)的输出端(303)和主开关管(11)的栅极相接。
6.根据权利要求4或5所述的具有负电压处理能力以及恒定导通阻抗的模拟开关，其特征在于：所述控制电流产生电路(102)包括一校准过的电压基准(301)，一个高增益运放(302)，第一、第二和第三个pmos管(31)(33)(34)，一个第二电阻(32)。
7.根据权利要求6所述的具有负电压处理能力以及恒定导通阻抗的模拟开关，其特征在于：所述校准过的电压基准(301)的输出接高增益运放(302)的负相端，所述高增益运放(302)的输出端接所述第一pmos管(31)的栅极，所述第一pmos管(31)的漏端反馈到高增益运放(302)的正相端，所述第一pmos管(31)的源端和所述第二pmos管(33)的栅极和漏极相接，所述第二pmos管(33)的栅极和所述第三pmos管(34)的栅极相接，所述第三Pmos管(34)的漏端为输出端(303)，所述第二电阻(32)的一端接高增益运放(302)的正向端和pmos管(31)的漏端，第二电阻(32)另一端接地；所述第二和第三Pmos管(33)(34)的源端接电源电压。
8.根据权利要求1所述的具有负电压处理能力以及恒定导通阻抗的模拟开关，其特征在于：所述主开关管(11)是带有隔离环的n型mos管。
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