[发明专利]用于均匀等离子体处理的喷嘴

说明书

一种用于均匀等离子体处理的喷嘴包括入口部及出口部。该入口部具有基本上平行于垂直轴的侧表面。该入口部包括多个气体通道。该出口部被耦接到该入口部。该出口部包括多个出口。所述出口中的至少一个相对于该垂直轴成非直角的角度。

本申请是申请日为2015年7月30日、申请号为“201580043841.3”、发明名称为“用于均匀等离子体处理的喷嘴”的发明专利申请的分案申请。

本申请主张于2014年8月15日提出的、标题为“NOZZLE FOR UNIFORM PLASMAPROCESSING(用于均匀等离子体处理的喷嘴)”的在先美国非临时专利申请No.14/461,318的权益，该申请以引用方式全部并入本文中。

技术领域

本发明的实施例涉及电子器件制造的领域，特别是涉及制造用于均匀等离子体处理的喷嘴。

背景技术

目前，许多的电子系统，例如高压集成电路(IC)、微机电系统(MEMS)、光电器件及其他电子系统，都需要高深宽比的通孔和沟槽。一般来说，电子部件(例如通孔、沟槽、柱状物)的制造涉及蚀刻半导体基板。通常，高深宽比的硅通孔(TSV)和沟槽是使用波希(Bosch)工艺制造的，波希工艺反复交替于等离子体蚀刻和沉积模式之间。通常，波希工艺使用交替的等离子体沉积和蚀刻模式的重复来形成聚合物侧表面钝化层，同时在垂直方向上蚀刻通孔。

目前沉积的聚合物钝化层具有不理想的非均匀轮廓。通孔制造目前受现有的标准喷嘴限制。

一般来说，横跨晶片的等离子体蚀刻和沉积的不均匀性导致电子部件(例如柱状物、通孔及沟槽)的轮廓变化。也就是说，等离子体沉积和蚀刻操作中任一者的任何不均匀性不仅会明显影响通孔深度的均匀性，而且还会影响横跨晶片的轮廓均匀性。另外，横跨晶片的等离子体蚀刻和沉积的不均匀性会引入电子器件缺陷(例如条纹、弯曲及锥形物)。如此一来，横跨晶片的等离子体蚀刻和沉积的不均匀性会影响良率并增加电子器件制造的成本。

发明内容

描述了提供用于均匀等离子体处理的喷嘴的方法和设备。在一个实施例中，一种用于均匀等离子体处理的喷嘴包括入口部及出口部。该入口部具有大致平行于垂直轴延伸的侧表面。该入口部包括多个气体通道。该出口部被耦接到该入口部。该出口部包括多个出口。所述出口中的至少一个相对于该垂直轴成非直角的角度。

在一个实施例中，一种用于均匀等离子体处理的喷嘴包括入口部及出口部。该入口部具有基本上平行于垂直轴的侧表面。该入口部包括多个气体通道。该出口部被耦接到该入口部。该出口部包括多个出口。所述出口中的至少一个相对于该垂直轴成非直角的角度。所述气体通道中的至少一个相对于该垂直轴以一角度延伸。

在一个实施例中，一种用于均匀等离子体处理的喷嘴包括入口部及出口部。该入口部具有基本上平行于垂直轴的侧表面。该入口部包括多个气体通道。该出口部被耦接到该入口部。该出口部包括多个出口。所述出口中的至少一个相对于该垂直轴成非直角的角度。空腔介于该入口部与该出口部之间。

在一个实施例中，一种用于均匀等离子体处理的喷嘴包括入口部及出口部。该入口部具有基本上平行于垂直轴的侧表面。该入口部包括多个气体通道。该出口部被耦接到该入口部。该出口部包括多个出口。所述出口中的至少一个相对于该垂直轴成非直角的角度。该出口部具有凸形形状。

在一个实施例中，一种用于均匀等离子体处理的喷嘴包括入口部及出口部。该入口部具有基本上平行于垂直轴的侧表面。该入口部包括多个气体通道。该出口部被耦接到该入口部。该出口部包括多个出口。所述出口中的至少一个相对于该垂直轴成非直角的角度。该出口部具有凹形形状。

在一个实施例中，一种用于均匀等离子体处理的喷嘴包括入口部及出口部。该入口部具有基本上平行于垂直轴的侧表面。该入口部包括多个气体通道。该出口部被耦接到该入口部。该出口部包括多个出口。所述出口中的至少一个相对于该垂直轴成非直角的角度。该出口部包括至少一个阶梯。