[发明专利]热处理装置、热板冷却方法及计算机可读取的记录介质在审
申请号: | 201910020071.0 | 申请日: | 2019-01-09 |
公开(公告)号: | CN110021540A | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
发明(设计)人: | 远藤建治 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 冷却 热板 冷却板 热处理装置 基板载置 对基板 可读取 温度传感器 基板冷却 冷却热板 计算机 基板 加热 施加 | ||
1.一种热处理装置,具备:
热板,其构成为对基板施加热;
冷却板,其构成为对所述基板进行冷却;
第一移送机构,其构成为在所述热板与所述冷却板之间授受所述基板;
温度传感器,其构成为获取所述热板的温度;
存储部,其存储表示所述热板的温度与冷却时间之间的关系的相关数据,该冷却时间是在该温度下被所述热板加热了的所述基板被所述冷却板冷却至目标温度所需的时间;以及
控制部,
其中,所述控制部执行以下处理:
第一处理,由所述温度传感器获取所述热板的温度;
第二处理,在所述第一处理之后,控制所述第一移送机构来将所述基板载置到所述热板;
第三处理,在所述第一处理之后,基于在所述第一处理中获取到的温度以及所述相关数据,计算与在所述第一处理中获取到的温度对应的冷却时间;以及
第四处理,在所述第三处理之后,控制所述第一移送机构来将所述基板载置到所述冷却板,由所述冷却板将所述基板冷却至少在所述第三处理中计算出的冷却时间。
2.根据权利要求1所述的热处理装置,其特征在于,
所述控制部还执行以下处理:
第五处理,在所述第二处理之后,由所述温度传感器获取所述热板的温度;
第六处理,在所述第五处理之后,控制所述第一移送机构来将所述基板载置到所述热板;
第七处理,在所述第五处理之后,基于在所述第五处理中获取到的温度以及所述相关数据来计算与在所述第五处理中获取到的温度对应的冷却时间;以及
第八处理,在所述第七处理之后,控制所述第一移送机构来将所述基板载置到所述冷却板,由所述冷却板将所述基板冷却至少在所述第七处理中计算出的冷却时间。
3.根据权利要求1或者2所述的热处理装置,其特征在于,
还具备第二移送机构,该第二移送机构构成为与所述冷却板之间授受所述基板。
4.根据权利要求3所述的热处理装置,其特征在于,
所述目标温度被设定为所述第二移送机构的耐热温度以下的温度。
5.一种热板冷却方法,包括以下工序:
第一工序,获取表示热板的温度与冷却时间之间的关系的相关数据,该热板构成为对基板施加热,该冷却时间是在该温度下被所述热板加热了的所述基板被构成为对所述基板进行冷却的冷却板冷却至目标温度所需的时间;
第二工序,由温度传感器获取所述热板的温度;
第三工序,在所述第二工序之后,将所述基板载置到所述热板;
第四工序,在所述第二工序之后,基于在所述第二工序获取到的温度以及所述相关数据来计算与在所述第二工序获取到的温度对应的冷却时间;以及
第五工序,在所述第四工序之后,将所述基板载置到所述冷却板,由所述冷却板将所述基板冷却至少在所述第四工序计算出的冷却时间。
6.根据权利要求5所述的热板冷却方法,其特征在于,还包括以下工序:
第六工序,在所述第三工序之后,由所述温度传感器获取所述热板的温度;
第七工序,在所述第六工序之后,将所述基板载置到所述热板;
第八工序,在所述第六工序之后,基于在所述第六工序获取到的温度以及所述相关数据来计算与在所述第六工序获取到的温度对应的冷却时间;以及
第九工序,在所述第八工序之后,将所述基板载置到所述冷却板,由所述冷却板将所述基板冷却至少在所述第八工序计算出的冷却时间。
7.根据权利要求5或者6所述的热板冷却方法,其特征在于,
还包括第十工序,在所述第五工序之后,由移送机构将所述基板从所述冷却板搬出。
8.根据权利要求7所述的热板冷却方法,其特征在于,
所述目标温度被设定为所述移送机构的耐热温度以下的温度。
9.一种计算机可读取的记录介质,
记录有用于使热处理装置执行根据权利要求5~8中的任一项所述的热板冷却方法的程序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造