[发明专利]一种荧光材料、荧光材料的制备方法、显示面板和显示装置

说明书

本发明提供了一种荧光材料，其中，该荧光材料包括：如式I所示分子结构：其中，D为给电子基团；B为桥接基团；F为功能基团。本发明实施例能够在给电子基团和吸电子基团之间设置桥接基团后得到的式I的分子结构能够调节分子共轭结构，增加给受体基团空间位阻效应，调节分子结构的电子云分布，使得到的荧光材料第一单重激发态能级(S1)和第三重激发态能级(T1)间的差值较小，功能基团能够增加分子辐射跃迁效率，进而降低反向系间窜越时间，提高了荧光材料的性能。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种荧光材料、荧光材料的制备方法、显示面板和显示装置。

背景技术

有机电致发光中的热活化延迟荧光(TADF)材料被认为是第三代有机电致发光材料，其利用三线态激子的反向系间窜越，即T1→S1，再由S1辐射跃迁发光，因此，在理论上可实现100％的电生激子利用率。而为了实现三线态激子的反向系间窜越，通常要求第一单重激发态能级(S1)和第三重激发态能级(T1)间的差值足够小，一般小于0.1eV，在材料设计上，通常引入分子内给受体基团结构来增加分子组态的使电子云重叠的成分，来减小S1和T1间的能级差，从而实现三线态激子的反向系间窜越。

目前，常用的荧光材料的分子结构为DA(给体-受体)结构，但是DA分子结构的第一单重激发态能级(S1)和第三重激发态能级(T1)间的差值较大，使反向系间窜越时间长，降低了荧光材料的荧光性能。

发明内容

本发明提供一种荧光材料，以解决现有的荧光材料反向系间窜越时间长，荧光性能低的问题。

为了解决上述问题，本发明一方面公开了一种荧光材料，所述荧光材料包括如式I所示分子结构：

其中，D为给电子基团；A为吸电子基团；B为桥接基团；F为功能基团。

优选的，所述桥接基团包括：烷基烃链结构；所述功能基团包括苯基或二苯基。

优选的，所述荧光材料包括如式II所示分子结构：

所述桥接基团包括长桥基团和短桥基团；其中，B(L)为所述长桥基团；B(S)为所述短桥基团。

优选的，所述长桥基团的烷基烃长度包括：(CH₂)₂或(CH₂)₃。

优选的，所述短桥基团的烷基烃长度包括：(CH₂)₁或(CH₂)₂。

优选的，所述长桥基团的烷基烃长度为(CH₂)₂；所述短桥基团的烷基烃长度为(CH₂)₂。

优选的，所述给电子基团包括：三苯胺、二甲基-三苯胺、二叔丁基-三苯胺、咔唑、二甲基-咔唑、二叔丁基-咔唑、二甲基吖啶、二甲基-二甲基吖啶、二叔丁基-二甲基吖啶中的一项。

优选的，所述吸电子基团包括：氰基苯或二氰基-苯。

优选的，所述荧光材料的荧光衰减的延迟时间为400ns-450ns。

本发明另一方面公开了一种荧光材料的制备方法，所述方法包括：

制备目标中间体；所述目标中间体包括吸电子基团、桥接基团和功能基团；

将所述目标中间体与给电子基团加入在甲苯溶剂中，在钯的催化下，制备得到所述荧光材料。

优选的，所述制备目标中间体包括：

将第一原料溶于四氯化碳溶剂中，在格林试剂的催化下制备得到第一中间体；