[发明专利]一种薄膜晶体管器件、驱动电路及显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管器件，其特征在于，包括：

衬底；

设于所述衬底的栅极层，其中，所述衬底的表面包括第一预设区域和第二预设区域，所述栅极层设于所述衬底表面的第一预设区域；

设于所述栅极层的阻挡层，其中，所述阻挡层设于所述栅极层表面以及所述衬底表面的第二预设区域；

设于所述阻挡层表面的有源层，所述有源层表面包括第三预设区域和第四预设区域，所述第三预设区域与所述第四预设区域互不接触；

设于所述有源层表面的源极势垒层和漏极势垒层，其中，所述源极势垒层包括至少两层掺杂浓度不同的源极掺杂层，所述漏极势垒层包括至少两层掺杂浓度不同的漏极掺杂层，所述源极势垒层位于所述有源层表面的第三预设区域，所述漏极势垒层位于所述有源层表面的第四预设区域；

设于所述源极势垒层表面的源极层；以及

设于所述漏极势垒层表面的漏极层。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管器件，其特征在于，所述源极势垒层包括：

设于所述有源层表面的第一源极掺杂层，其中，所述第一源极掺杂层位于所述有源层表面的第三预设区域；

设于所述第一源极掺杂层表面的第二源极掺杂层；

设于所述第二源极掺杂层表面的第三源极掺杂层；以及

设于所述第三源极掺杂层表面的第四源极掺杂层；

所述第一源极掺杂层、所述第二源极掺杂层、所述第三源极掺杂层以及所述第四源极掺杂层的掺杂浓度互不相同。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管器件，其特征在于，所述第一源极掺杂层具有第一源极掺杂浓度，所述第二源极掺杂层具有第二源极掺杂浓度，所述第三源极掺杂层具有第三源极掺杂浓度，所述第四源极掺杂层具有第四源极掺杂浓度；

所述第一源极掺杂浓度小于所述第二源极掺杂浓度，所述第二源极掺杂浓度小于所述第三源极掺杂浓度，所述第三源极掺杂浓度小于所述第四源极掺杂浓度。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管器件，其特征在于，所述漏极势垒层包括：

设于所述有源层表面的第一漏极掺杂层，所述第一漏极掺杂层位于所述有源层表面的第四预设区域；

设于所述第一漏极掺杂层表面的第二漏极掺杂层；

设于所述第二漏极掺杂层表面的第三漏极掺杂层；以及

设于所述第三漏极掺杂层表面的第四漏极掺杂层；

所述第一漏极掺杂层、所述第二漏极掺杂层、所述第三漏极掺杂层以及所述第四漏极掺杂层的掺杂浓度互不相同。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管器件，其特征在于，所述阻挡层包括氮化硅、二氧化硅中的至少一项。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管器件，其特征在于，所述源极掺杂层为N型掺杂。

7.如权利要求1所述的薄膜晶体管器件，其特征在于，所述有源层为非晶硅。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管器件，其特征在于，所述非晶硅为氢化非晶硅。

9.一种驱动电路，其特征在于，所述驱动电路包括如权利要求1-8任一项所述的薄膜晶体管器件。

10.一种显示装置，其特征在于，包括：

显示面板；以及

控制单元，所述控制单元与所述显示面板电性连接；其中，所述显示面板包括如权利要求1-8任一项所述的薄膜晶体管器件。