[发明专利]一种晶圆背面边缘区清洗设备及晶圆背面清洗方法

说明书

本发明提供一种晶圆背面边缘区清洗设备及晶圆背面清洗方法，清洗设备包括：可旋转承载台，位于晶圆中心下方，用于固定支撑及旋转所述晶圆；喷嘴，设置于晶圆边缘区下方或所述晶圆外侧下方，用于向所述晶圆的背面边缘区喷射清洗液，以清洗所述晶圆的背面边缘区。本发明的一种晶圆背面边缘区清洗设备及晶圆背面清洗方法能清除晶圆背面边缘区微粒，有效清洗晶圆背面，减少清洗过程中对晶圆背面的损伤，有利于后续制程的稳定，提高产品良率。

技术领域

本发明属于半导体制造领域，特别是涉及一种晶圆背面边缘区清洗设备及晶圆背面清洗方法。

背景技术

现有的晶圆背面边缘区清洗方法包括步骤：提供一晶圆、一可旋转承载台和一背面去除装置，所述可旋转承载台固定于所述晶圆中心下方，以支撑所述晶圆，将所述背面去除装置设置于所述晶圆边缘区下方并与所述晶圆接触；旋转所述可旋转承载台以使所述晶圆旋转，对所述晶圆进行洗刷和抛光处理，以清洗所述晶圆的背面边缘区。

晶圆背面边缘区微粒较多，现有的通过洗刷、抛光去除晶圆背面边缘区微粒会损伤晶圆背面，并影响后续制程。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种晶圆背面边缘区清洗设备及晶圆背面清洗方法，用于解决现有技术的在清洗过程中对晶圆背面的损伤的问题，有利于后续制程的稳定，提高产品良率。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种晶圆背面边缘区清洗设备，包括：

可旋转承载台，位于晶圆中心下方，用于固定支撑及旋转所述晶圆；

喷嘴，设置于晶圆边缘区下方或所述晶圆外侧下方，用于向所述晶圆的背面边缘区喷射清洗液，以清洗所述晶圆的背面边缘区。

可选地，所述晶圆背面边缘区清洗设备包括多个所述喷嘴，且各所述喷嘴与水平面之间具有相同的夹角，各所述喷嘴与所述晶圆下表面之间具有相同的距离。

可选地，所述喷嘴数量介于3～5个之间，所述喷嘴沿所述晶圆半径方向排成一列。

可选地，所述喷嘴朝所述晶圆的内侧倾斜，所述喷嘴与水平面之间的夹角介于45度～60度之间。

可选地，位于最外侧的所述喷嘴在所述晶圆的投影范围之外，且与所述晶圆侧边的水平距离介于80mm～120mm之间。

可选地，位于最外侧的所述喷嘴与水平面之间的夹角C、位于最外侧的所述喷嘴与所述晶圆的侧边的水平距离B、位于最外侧的所述喷嘴与所述晶圆下表面之间的距离A之间的关系满足：tanC＝A/B。

可选地，所述清洗液的种类包括去离子水，所述清洗液的压强介于6MPa～10MPa之间，所述可旋转承载台的转速介于40rpm/sec～50rpm/sec之间。

可选地，所述晶圆背面边缘区清洗设备还包括阀门和增压装置；其中，所述阀门连接所述喷嘴，以控制所述喷嘴的开关；所述增压装置连接清洗液源，并与所述阀门相连接，所述增压装置用于对所述清洗液进行增压处理。

本发明还提供一种晶圆背面清洗方法，其特征在于，包括步骤：

提供如上所述的晶圆背面边缘区清洗设备，将晶圆固定于所述可旋转承载台上；

旋转所述可旋转承载台以使所述晶圆旋转，并采用所述喷嘴向所述晶圆背面边缘区下方喷射清洗液，以清洗所述晶圆的背面边缘区。

可选地，所述方法还包括对晶圆背面中心区进行清洗的步骤，该步骤包括：提供支撑装置和一背面去除装置，将所述晶圆的边缘区下方固定于所述支撑装置，将所述背面去除装置设置于所述晶圆中心区下方并与所述晶圆接触；旋转所述背面去除装置，以清洗所述晶圆的背面中心区。