[发明专利]封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一支撑衬底；

在所述支撑衬底上形成重新布线层；

在所述重新布线层的上表面形成底层天线层，所述底层天线层包括底层布线结构和底层天线结构，所述底层天线结构通过所述底层布线结构与所述重新布线层电性连接；

在所述重新布线层的上方形成空腔结构，所述空腔结构至少覆盖所述底层天线结构，并在所述空腔结构与所述重新布线层之间形成空腔；

在所述重新布线层的上方形成层间塑封层，所述层间塑封层位于所述空腔结构的外围；

在所述层间塑封层和所述空腔结构的上表面形成耦合天线层；

去除所述支撑衬底，在所述重新布线层的下表面形成与所述重新布线层电性连接的金属凸块，并在所述重新布线层的下表面电性连接半导体芯片。

2.根据权利要求1所述的封装结构的制备方法，其特征在于：在所述底层天线结构的上方形成所述空腔结构的步骤包括：

提供预制成型的空腔结构，所述空腔结构具有中空的内部空间，且表面设有一连通所述内部空间的开口面；

将所述空腔结构的所述开口面朝下，覆盖于所述底层天线结构的上方，所述开口面至少覆盖所述底层天线结构，且所述空腔结构在所述开口面周边的部分与所述重新布线层或所述底层布线结构粘合连接。

3.根据权利要求2所述的封装结构的制备方法，其特征在于：所提供的所述空腔结构的数量为多个。

4.根据权利要求2所述的封装结构的制备方法，其特征在于：构成所述空腔结构的材料包括玻璃、硅、金属或树脂材料中的一种或多种的组合。

5.根据权利要求1所述的封装结构的制备方法，其特征在于：在所述支撑衬底上形成所述重新布线层之前，还包括先在所述支撑衬底上形成释放层的步骤，所述重新布线层通过所述释放层粘附于所述支撑衬底；在去除所述支撑衬底时，通过降低所述释放层的粘性使所述支撑衬底与所述重新布线层分离。

6.根据权利要求1所述的封装结构的制备方法，其特征在于：所述重新布线层包括至少一层金属布线层和包裹所述金属布线层的电介质层。

7.根据权利要求6所述的封装结构的制备方法，其特征在于：在所述重新布线层的上表面形成底层天线层时，通过金属材料沉积工艺同时形成所述底层布线结构和所述底层天线结构，所述底层布线结构与所述重新布线层电性连接的步骤包括：

在所述重新布线层的所述电介质层的部分区域形成电介质层开口区域，并暴露出位于所述电介质层开口区域下方的所述金属布线层；

在通过金属材料沉积工艺形成底层天线层时，同时在所述电介质层开口区域沉积金属材料，使所述底层天线层与所述金属布线层形成电性连接。

8.根据权利要求1所述的封装结构的制备方法，其特征在于：在所述层间塑封层和所述空腔结构的上表面形成N层所述耦合天线层，其中，N为大于等于2的整数；在所述层间塑封层和所述空腔结构的上表面形成N层所述耦合天线层的步骤包括以下步骤：

a)在所述层间塑封层和所述空腔结构的上表面形成耦合天线层；

b)在步骤a)中形成的所述耦合天线层的上方形成另一层空腔结构，该步骤中的所述空腔结构至少覆盖步骤a)中形成的所述耦合天线层；

c)在步骤b)中的所述空腔结构外围形成另一层层间塑封层；

d)重复执行步骤a)～c)N-1次。

9.根据权利要求8所述的封装结构的制备方法，其特征在于：在步骤b)中，在步骤a)中形成的所述耦合天线层的上方形成另一层空腔结构的步骤包括：

提供预先成型的空腔结构，所述空腔结构具有中空的内部空间，且表面设有一连通所述内部空间的开口面；

将所述空腔结构的所述开口面朝下，覆盖于步骤a)中形成的所述耦合天线层的上方，所述开口面至少覆盖步骤a)中形成的所述耦合天线层，且所述空腔结构在所述开口面周边的部分与所述层间塑封层粘合连接。