[发明专利]一种具有高质子传导率的无机材料及其制备方法

权利要求书

1.一种具有高质子传导率的无机材料，特征在于：所述质子传导材料的结构通式为[Ni(H₂O)₆K₆(H₂O)₁₂][(GeW₁₂ O₄₀)₂] ·48H₂O，晶体结构为具有一维孔道的三维框架结构，属于立方晶系，空间群为Fm-3m，对应空间群号为 225，晶胞参数为：a = b = c = 22.1457(13)(Å), α = β = γ = 90°。

2.一种如权利要求1所述的具有高质子传导率的无机材料的制备方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：

1）将二钼酸铵、三缺位锗钨酸盐前驱体K₈Na₂[A-a-GeW₉O₃₄]·25H₂O、硝酸镍、去离子水加入聚四氟乙烯釜内，并在常温下搅拌1-2 h使原料混合均匀；

2）再聚四氟乙烯釜置于烘箱中进行水热反应；

3）取出反应后产物，再经过滤、清洗和真空干燥，得到0.5-1.5mm绿色立方状晶体；

4）将得到的绿色立方状晶体在研钵中充分研磨，即可得到所述质子传导材料；

所述二钼酸铵、三缺位锗钨酸盐前驱体、硝酸镍、去离子水的质量比为：1∶2∶3∶11。

3.根据权利要求2所述的具有高质子传导率的无机材料的制备方法，其特征在于：所述水热反应的条件为：反应温度为80-180℃，反应时间为1-3天。

4.根据权利要求2所述的具有高质子传导率的无机材料的制备方法，其特征在于：步骤（4）中真空干燥时间为12h。