[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池及其制造方法在审
申请号: | 201910021810.8 | 申请日: | 2019-01-10 |
公开(公告)号: | CN109830599A | 公开(公告)日: | 2019-05-31 |
发明(设计)人: | 刘欣;李严波 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/48 |
代理公司: | 成都其高专利代理事务所(特殊普通合伙) 51244 | 代理人: | 廖曾;贺立中 |
地址: | 610000 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 钙钛矿 太阳能电池器件 太阳能电池领域 能量转化效率 阴极 电子传输层 空穴传输层 阳极 太阳能电池 光吸收层 开路电压 依次层叠 衬底 非晶 制备 钛矿 加工 制造 应用 | ||
本发明实施例公开了一种钙钛矿太阳能电池器件及其制造方法。该钛矿太阳能电池器件包括依次层叠的衬底、阳极(ITO)、空穴传输层(非晶NiOx)、钙钛矿光吸收层、电子传输层(Nb2O5)和阴极。本发明的钙钛矿太阳能电池器件及其制备方法获得了较高的能量转化效率和较高的开路电压,且具备较低的加工成本和能够实现大面积加工,因而在钙钛矿太阳能电池领域具有良好的应用前景。
技术领域
本发明涉及光伏器件技术领域,尤其是涉及一种钙钛矿太阳能电池及其制造方法。
背景技术
早在2006年日本桐荫横滨大学的Miyasaka教授课题组尝试将钙钛矿材料作为光吸收材料用于染料敏化太阳能电池中,他们于2009年首次报道了太阳能转化效率为3-4%的染料敏化钙钛矿太阳能电池(J.Am.Chem.Soc.,2009,131,6050)。接着韩国成均馆大学的Nam-Gyu Park教授课题组通过优化前驱体溶液浓度和退火温度,使能量转化效率提升了近一倍(Nanoscale,2011,3,4088),而钙钛矿太阳能电池真正得到关注是他们将钙钛矿材料用于类似有机薄膜太阳能电池的全固态结构中,并使得能量转换效率和稳定性得到了大大的提高(Sci.Rep.,2012,2,591)。由于钙钛矿太阳能电池具有原料及制造成本低等显著优势,并且随着相关领域研究力量的大量投入,钙钛矿太阳能电池的能量转换效率在近几年得到了迅速的提高。
这类钙钛矿材料一般具有ABX3的基本化学式,其中A+一般为有机阳离子(最常见的是甲胺离子,CH3NH3+,MA+),B2+为无机阳离子(一般为Pb2+),X-为卤素阴离子(一般为I-、Cl-或Br-:MAPb(I,Br,Cl)3)。所使用的卤素元素种类的不同,钙钛矿材料的带隙可以在1.6至3.2电子伏特内连续调控。使用甲脒离子(CH(NH2)2+,FA+)替换MA+或使用Sn2+来替换Pb2+或采用混合型离子等方法可以进一步的调控钙钛矿材料的带隙,实现更宽范围的太阳光吸收。因钙钛矿太阳能电池最初是由染料敏化太阳能电池所演变而来的,因而介孔型结构较为常见。在这一结构当中,在致密的TiO2选择性电子传输层上还有一层由TiO2纳米颗粒组成的介孔层。这一介孔层一方面作为沉积钙钛矿薄膜的骨架,另一方面可以减少电子扩散的距离,进而提高电子采集效率。在最初的研究中使用的介孔厚度约为500-600纳米,钙钛矿光吸收材料完全渗透到介孔骨架当中。然而随着研究的深入,人们发现可以使用较薄的介孔层约为150-200纳米,同时在其上面形成一层连续致密的钙钛矿光吸收层可以得到更好的器件性能。由于电子和空穴在钙钛矿材料中的扩散长度都很长,因而当完全去除介孔层后使用平面型的结构也可以得到效率较高的钙钛矿太阳能电池,而且结构更简单的平面型钙钛矿太阳能电池相比于介孔型的钙钛矿太阳能电池在制备结构上具有明显的优势,因而平面型的钙钛矿太阳能电池最终更易实现商业化。
目前常见的钙钛矿太阳能电池器件结构包括介孔型、平面型(n-i-p)和平面反型(p-i-n)。当前平面型结构中使用的n型电子传输材料一般是金属氧化物半导体材料,p型空穴传输材料一般是有机空穴传输材料,而使用的有机空穴传输材料因其迁移率较低而往往需要掺杂其它的物质器件才能获得较高的能量转化效率,这限制了其进一步的商业应用。目前在平面反型结构中使用的n型电子传输材料一般是富勒烯及其衍生物,这类材料具有生产成本高、提纯不易等制约其大规模生产的缺点。因而开发低成本大面积稳定的平面型钙钛矿太阳能电池器件及其结构迫在眉睫。
发明内容
本发明的目的之一是提供一种钙钛矿太阳能电池及其制造方法。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910021810.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择