[发明专利]一种正八边形薄膜磁阻传感器在审
| 申请号： | 201910022159.6 | 申请日： | 2019-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN109752675A | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 陈洁;黄旭庭 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 正八边形 薄膜磁阻传感器 各向异性磁阻 绝缘层 磁场传感器 薄膜平面 电流方向 顶层电极 工作电流 输出电压 头尾顺序 外加磁场 依次叠加 薄膜条 夹角为 相邻膜 衬底 膜条 平行 | ||
【权利要求书】：
1.一种正八边形薄膜磁阻传感器，其特征在于，该磁场传感器包括从下向上依次叠加设置的衬底(1)、绝缘层(2)、各向异性磁阻层(3)和顶层电极层(4)；其中，各向异性磁阻层(3)由八条完全一样的各向异性磁阻薄膜条A、B、C、D、E、F、G、I按头尾顺序连接的方式正八边形排列组成，相邻膜条相差的相位为135°。
2.按照权利要求1所述的一种正八边形薄膜磁阻传感器，其特征在于，所述各向异性磁阻层(3)的八条各向异性磁阻效应完全相同的磁阻薄膜条选用的是具有各向异性磁阻效应的铁镍合金。
3.按照权利要求2所述的一种正八边形薄膜磁阻传感器，其特征在于，所述铁镍合金中铁的含量为20％。
4.按照权利要求1所述的一种正八边形薄膜磁阻传感器，其特征在于，所述八条完全一样的各向异性磁阻薄膜条A、B、C、D、E、F、G、I的平面形状为连续连接的S形。
5.按照权利要求1所述的一种正八边形薄膜磁阻传感器，其特征在于，所述衬底1采用的材料是Si。
6.按照权利要求1所述的一种正八边形薄膜磁阻传感器，其特征在于，所述绝缘层(2)采用的是SiO2，具有非磁性、良好的绝缘性、稳定的化学性质、强度硬度高拉伸性好。
7.按照权利要求书1所述的一种正八边形薄膜磁阻传感器，其特征在于，顶层电极层(4)所用的材料是铜。
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