[发明专利]一种有机发光空穴材料及其制备与应用

权利要求书

1.一种有机发光空穴材料，其特征在于，具有如通式1所示的结构：

通式(1)中，Ar₁或Ar₂均选自：

m为1至3的整数；

表示取代位。

2.根据权利要求1所述的空穴材料的，其特征在于，所述Ar₁或Ar₂均选自：

m为1或3。

3.根据权利要求1或2所述的空穴材料的，其特征在于，所述空穴材料为如下结构式中的一种：

4.权利要求1～3任一项所述空穴材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

以化合物1-1为起始原料，与发生偶联反应，得到化合物1；

其中，Ar₁、Ar₂和m的指代与权利要求1-3任一项所述相同。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

反应的过程中以甲苯为溶剂，以乙酸钯和三叔丁基膦为催化剂，叔丁醇钾为碱，在氮气的保护下，在温度80-120℃的条件下进行反应。

6.权利要求1～3任一项所述的空穴材料在制备有机电致发光器件中的应用；优选的，所述空穴材料在制备所述有机电致发光器件中的空穴传输层中的应用。

7.一种有机电致发光器件，其特征在于，所述发光器件中空穴传输层的材料为权利要求1～3任一项所述的空穴材料。

8.根据权利要求7所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件依次包括层叠设置的透明基片、阳极层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层。

9.根据权利要求8所述的发光器件，其特征在于，制备所述阳极层的材料为氧化铟锡、氧化锌、氧化锡锌、金、银或铜中的至少一种，优选氧化铟锡；

和/或，制备所述有机发光层的材料为

中的一种；

和/或，制备所述电子传输层的材料为：

中的一种；

和/或，制备所述电子注入层的材料为LiF，Li₂O，MgO或Al₂O₃中的一种，优选LiF；

和/或，制备所述阴极层的材料为锂、镁、银、钙、锶、铝、铟、铜、金或银中的一种，优选铝。

10.根据权利要求8或9所述的发光器件，其特征在于，

所述空穴传输层的厚度为10-50nm，优选为30nm；

所述有机发光层的厚度为10-100nm，优选为30nm；

所述电子传输层的厚度为10-30nm，优选为30nm；

所述电子注入层的厚度为5-30nm，优选为10nm；

所述阴极的厚度为50-110nm，优选为60nm。