[发明专利]一种改进惠斯通电桥式薄膜磁阻传感器在审
| 申请号： | 201910022165.1 | 申请日： | 2019-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN109752676A | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 陈洁;黄旭庭 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜磁阻传感器 磁阻薄膜 平行 惠斯通电桥式 各向异性磁阻 温度补偿效应 等效电路图 惠斯通电桥 改进 薄膜平面 电流方向 角度变化 连接方式 头尾顺序 外加磁场 相位相差 薄膜条 夹角为 传感器 电桥 功耗 磁场 摆放 | ||
1.一种改进惠斯通电桥式薄膜磁阻传感器，其特征在于，包括从下到上依次叠加的衬底(1)、绝缘层(2)、各向异性磁阻层(3)和顶层电极层(4)；其中，各向异性磁阻层(3)由四条完全一样的各向异性磁阻薄膜条A、B、C、D按照头尾顺序连接方式构成惠斯通电桥，磁阻薄膜条A和B相差的相位为135°，磁阻薄膜条B、C相位相差45°，其中A、C平行，B、D平行。
2.按照权利要求1所述的一种改进惠斯通电桥式薄膜磁阻传感器，其特征在于，所述各向异性磁阻层(3)的四条各向异性磁阻效应完全相同的磁阻薄膜条选用的是具有各向异性磁阻效应的铁镍合金。
3.按照权利要求2所述的一种改进惠斯通电桥式薄膜磁阻传感器，其特征在于，所述铁镍合金中铁的含量为20％。
4.按照权利要求1所述的一种改进惠斯通电桥式薄膜磁阻传感器，其特征在于，所述磁阻薄膜条A、磁阻薄膜条B、磁阻薄膜条C、磁阻薄膜条D的平面形状为连续连接的S形。
5.按照权利要求1所述的一种改进惠斯通电桥式薄膜磁阻传感器，其特征在于，所述衬底1采用的材料是Si。
6.按照权利要求1所述的一种改进惠斯通电桥式薄膜磁阻传感器，其特征在于，所述绝缘层(2)采用的是SiO2，具有非磁性、良好的绝缘性、稳定的化学性质、强度硬度高拉伸性好。
7.按照权利要求书1所述的一种改进惠斯通电桥式薄膜磁阻传感器，其特征在于，顶层电极层(4)所用的材料是铜。
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