[发明专利]一种OLED发光材料及其制备和应用在审
申请号: | 201910022175.5 | 申请日: | 2019-01-10 |
公开(公告)号: | CN109796961A | 公开(公告)日: | 2019-05-24 |
发明(设计)人: | 班全志;李小赢;程丹丹;曹占广;黄春雪;郭林林;段陆萌;杭德余;李继响;李仲庆 | 申请(专利权)人: | 北京燕化集联光电技术有限公司 |
主分类号: | C09K11/06 | 分类号: | C09K11/06;C07C209/60;C07C211/61;C07D409/12;C07D333/76;C07D209/88;H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王文君;陈征 |
地址: | 102500 北京市房山区燕山*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 制备和应用 发光材料 有机电致发光显示 空穴传输材料 有机电致发光 薄膜稳定性 空穴迁移率 发光效率 分子能级 应用 | ||
1.一种OLED发光材料,其特征在于,具有如通式1所示的结构:
在通式1中,Ar1或Ar2均选自:
m为1至4的整数;
表示取代位。
2.根据权利要求1所述的OLED发光材料,其特征在于,Ar1或Ar2均选自:
3.根据权利要求1或2所述的OLED发光材料,其特征在于,所述有机材料选自如下化合物的一种:
4.权利要求1~3任一项所述OLED发光材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
以化合物1-1为起始原料,与发生偶联反应,得到化合物1;
其中,Ar1、Ar2和m的指代与权利要求1-3任一项所述相同。
5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,反应的过程中以甲苯为溶剂,以乙酸钯和三叔丁基膦为催化剂,以叔丁醇钾为碱,反应过程中用氮气进行保护,反应在温度80-90℃的条件下进行。
6.权利要求1~3任一项所述OLED发光材料在制备有机电致发光器件中的应用;优选的,所述OLED发光材料在制备所述有机电致发光器件中的空穴传输层中的应用。
7.一种有机电致发光器件,其特征在于,所述器件中空穴传输层的材料为权利要求1~3任一项所述的OLED发光材料。
8.根据权利要求7所述的发光器件,其特征在于,所述发光器件依次包括层叠设置的透明基片、阳极层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层。
9.根据权利要求8所述的发光器件,其特征在于,构成所述阳极层的材料为无机材料;优选的,所述无机材料为氧化铟锡、氧化锌、氧化锡锌、金、银或铜中的至少一种,更优选氧化铟锡;
构成所述空穴传输层的材料为式1所示的化合物;
构成所述有机发光层的材料由主体材料组成;优选的,所述主体材料为如下化合物中的任意一种:
构成所述电子传输层的材料选自以下化合物中的任意一种:
构成所述电子注入层的材料选自LiF,Li2O,MgO,Al2O3中的一种,优选LiF;
构成所述阴极的材料选自锂、镁、银、钙、锶、铝、铟、铜、金和银中的一种,优选铝。
10.根据权利要求8所述的发光器件,其特征在于,
所述空穴传输层的厚度为10-50nm,优选为40nm;
所述有机发光层的厚度为10-100nm,优选为50nm;
所述电子传输层的厚度为10-30nm,优选为20nm;
所述电子注入层的厚度为5-30nm,优选为10nm;
所述阴极的厚度为50-110nm,优选为60nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京燕化集联光电技术有限公司,未经北京燕化集联光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910022175.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。