[发明专利]一种应用于毫米波无源成像的高增益接收机

权利要求书

1.一种应用于毫米波无源成像的高增益接收机，其特征在于，电路结构包括如下模块：输入匹配网络101，超宽带变压器匹配网络102，包络检测器104，超宽带变压器匹配网络102中有差分NMOS晶体管对103，其中：

所述输入匹配网络101，包括四个片上无源电感，右端输出电感的中间抽头与偏置电压V_B相连接，并且上下两端分别与超宽带变压器匹配网络102的两个差分NMOS晶体管对的栅极连接；

所述超宽带变压器匹配网络102中，设有四级变压器；每一级变压器由差分NMOS晶体管对和四个片上无源电感组成；四个片上无源电感分别具有两个输出电感和两个输入电感；两个差分NMOS晶体管对的输出端即漏极连接两个输出电感的上下两端，差分NMOS晶体管对的源极均接地，差分NMOS晶体管对的栅极分别连接两个输入电感的上下两端；两个输出电感的中间抽头与电源电压VDD相连接；这两个输出电感又通过偏置电压V_B的电感耦合到下一级差分NMOS晶体管对的输入；信号经过四级变压器耦合到包络检测器104的输入端；

所述包络检测器104，包括两个输出差分NMOS晶体管对M3、两个输入电阻R_B、一个输出电阻R_D和两个隔直电容C_A；两个输入电感连接两个隔直电容C_A的一端，两个隔直电容C_A的另一端分别连接输出差分NMOS晶体管对M3的栅极，同时，偏置电压V_B通过两个输入电阻R_B给输出差分NMOS晶体管对M3提供偏置电压；输出差分NMOS晶体管对M3的漏极与电源电压VDD相连接，两个输出差分NMOS晶体管对M3共同的源极为输出端，其源极与输出电阻R_D的一端相连接，输出电阻R_D的另一端接地。

2.根据权利要求1所述的应用于毫米波无源成像的高增益接收机，其特征在于，所述隔直电容C_A由片上金属-绝缘体-金属电容器构成。

3.根据权利要求1所述的应用于毫米波无源成像的高增益接收机，其特征在于，所述差分NMOS晶体管对均为MOSFET，即场效应晶体管。

4.根据权利要求1所述的应用于毫米波无源成像的高增益接收机，其特征在于，通过调节包络检测器104的偏置电压，动态调节接收机的接收范围。