[发明专利]封装体及其形成方法

说明书

本公开提供一种方法，包含在第一封装组件的顶部表面的第一部分上执行第一激光照射。第一封装组件在第二封装组件上方，且通过第一激光照射来回焊第一封装组件与第二封装组件之间的第一焊料区。在第一激光照射后，在第一封装组件的顶部表面的第二部分上执行第二激光照射。通过第二激光照射来回焊第一封装组件与第二封装组件之间的第二焊料区。

技术领域

本发明实施例涉及一种封装体及其形成方法。

背景技术

在集成电路的封装中，将装置管芯或封装体封装到封装衬底上，所述封装衬底包含用于路由(route)封装衬底的相对侧之间的电信号的金属连接。可使用倒装芯片接合将装置管芯接合到封装衬底的一侧上，且执行回焊以熔融将管芯和封装衬底互连的焊料球。

封装衬底可使用可易于层压的材料。另外，有机材料可用作封装衬底的介电材料。然而，这些材料易于因用于回焊焊料的高温造成弯曲。此外，在接合工艺期间，由于装置管芯和封装衬底具有显著不同的热膨胀系数(Coefficients of Thermal Expansion；CTE)，因此管芯和封装衬底中的弯曲加剧。举例而言，装置管芯中的硅具有接近约3.2的CTE，而封装衬底可具有介于约10与17之间，或甚至更高的CTE。封装衬底中的弯曲可导致冷结合(cold joints)和/或凸块开裂。因此，不利地影响封装工艺的良率。

发明内容

根据本发明的实施例，一种形成封装体的方法包括：在第一封装组件的顶部表面的第一部分上执行第一激光照射，其中所述第一封装组件在第二封装组件上方，且通过所述第一激光照射来回焊所述第一封装组件与所述第二封装组件之间的第一焊料区；以及在所述第一激光照射后，在所述第一封装组件的所述顶部表面的第二部分上执行第二激光照射，其中通过所述第二激光照射来回焊所述第一封装组件与所述第二封装组件之间的第二焊料区

根据本发明的实施例，一种形成封装体的方法包括：在第一封装组件的顶部表面上执行第一激光照射，其中所述第一封装组件在第二封装组件上方，且通过所述第一激光照射来熔融所述第一封装组件与所述第二封装组件之间的第一焊料区；延迟一段时间，其中在所述一段时间期间，所述第一焊料区固化；以及在所述第一焊料区固化后，在所述第一封装组件的所述顶部表面上执行第二激光照射以熔融所述第一封装组件与所述第二封装组件之间的第二焊料区。

根据本发明的实施例，一种封装体，包括第一封装组件、第二封装组件、第一焊料区、第一金属间化合物、第二焊料区以及第二金属间化合物。第一封装组件包括所述第一封装组件的表面处的第一金属化特征以及第二金属化特征。第二封装组件包括所述第二封装组件的表面处的第三金属化特征以及第四金属化特征。第一焊料区将所述第一金属化特征连接到所述第三金属化特征。第一金属间化合物在所述第一金属化特征与所述第一焊料区之间且邻接所述第一金属化特征与所述第一焊料区，其中所述第一金属间化合物具有第一厚度。第二焊料区将所述第二金属化特征连接到所述第四金属化特征。第二金属间化合物在所述第二金属化特征与所述第二焊料区之间且邻接所述第二金属化特征与所述第二焊料区，其中所述第二金属间化合物具有大于所述第一厚度的第二厚度。

附图说明

结合附图阅读以下具体实施方式会最好地理解本公开的方面。应注意，根据业界中的标准惯例，各个构件未按比例绘制。实际上，为了论述清楚起见，可以任意增大或减小各种构件的尺寸。

图1到图4A示出根据一些实施例的通过多重照射激光回焊工艺的接合工艺中的中间阶段的截面图。

图4B示出根据一些实施例的通过多重照射激光回焊工艺的接合工艺中的俯视图。

图5示出根据一些实施例的两次照射激光回焊工艺的俯视图。

图6示出根据一些实施例的在接合封装阵列上执行的多重照射激光回焊工艺的俯视图。

图7示出根据一些实施例的放置于多重照射激光回焊工艺中的传送带上的多个封装体。