[发明专利]放大器电路及转阻放大器电路

权利要求书

1.一种放大器电路，其特征在于，包含：

第一放大器，包含电压输入端以及电压输出端；

电压偏移提供电路，包含耦接第一预定电压的第一端，耦接该电压输出端的第二端，以及第三端，其中该第三端的电压比该第二端的电压高出偏移电压；以及

电压控制电容，包含耦接该第三端的第四端，以及耦接该电压输入端的第五端，其中该电压控制电容的电容值对应该第四端的电压以及该第五端的电压的电压差。

2.如权利要求1所述的放大器电路，其特征在于，该电压偏移提供电路为源极随耦器。

3.如权利要求2所述的放大器电路，其特征在于，该电压偏移提供电路包含：

电压偏移提供晶体管，包含作为该电压偏移提供电路的该第二端的第一端，作为该电压偏移提供电路的该第三端的第二端，以及耦接第二预定电压位准的第三端；以及

电流源，耦接该第一预定电压位准以及该电压偏移提供晶体管之间，用以提供电流至该电压偏移提供晶体管。

4.如权利要求3所述的放大器电路，其特征在于，

该电压偏移提供晶体管为第一PMOS，该第一PMOS包含作为该电压偏移提供电路的该第二端的闸极，作为该电压偏移提供电路的该第三端的源极，以及作为该电压偏移提供电路的该第三端的汲极；

其中该偏移电压是该第一PMOS的临界电压；

其中该电流源为第二PMOS，该第二PMOS包含接收偏压信号的闸极，作为该电压偏移提供电路的该第一端的源极，以及作为该电压偏移提供电路的该第三端的汲极。

5.如权利要求1所述的放大器电路，其特征在于，该电压控制电容为MOS电容，该电压控制电容的汲极以及源极短路且作为该第四端，且该电压控制电容的闸极作为该第五端。

6.如权利要求1所述的放大器电路，其特征在于，进一步包括：

第二放大器，包含耦接该第一放大器的该电压输入端的电压输出端。

7.一种转阻放大器电路，用以将输入电流转换成输出电压，其特征在于，包含：

放大器，包含用以接收该输入电流的电流输入端以及用以输出该输出电压的电压输出端；

电压偏移提供电路，包含耦接第一预定电压的第一端，耦接该电压输出端的第二端，以及第三端，其中该第三端的电压比该第二端的电压高出偏移电压；以及

电压控制电容，包含耦接该第三端的第四端，以及耦接该电压输入端的第五端，其中该电压控制电容的电容值对应该第四端的电压以及该第五端的电压的电压差。

8.如权利要求7所述的转阻放大器电路，其特征在于，该电压偏移提供电路为源极随耦器。

9.如权利要求7所述的转阻放大器电路，其特征在于，该电压偏移提供电路包含：

电压偏移提供晶体管，包含作为该电压偏移提供电路的该第二端的第一端，作为该电压偏移提供电路的该第三端的第二端，以及耦接第二预定电压位准的第三端；以及

电流源，耦接该第一预定电压位准以及该电压偏移提供晶体管之间，用以提供电流至该电压偏移提供晶体管。

10.如权利要求9所述的转阻放大器电路，其特征在于，

该电压偏移提供晶体管为第一PMOS，该第一PMOS包含作为该电压偏移提供电路的该第二端的闸极，作为该电压偏移提供电路的该第三端的源极，以及作为该电压偏移提供电路的该第三端的汲极；

其中该偏移电压是该第一PMOS的临界电压；

其中该电流源为第二PMOS，该第二PMOS包含接收偏压信号的闸极，作为该电压偏移提供电路的该第一端的源极，以及作为该电压偏移提供电路的该第三端的汲极。

11.如权利要求7所述的转阻放大器电路，其特征在于，该电压控制电容为MOS电容，该电压控制电容的汲极以及源极短路且作为该第四端，且该电压控制电容的闸极作为该第五端。