[发明专利]一种CdTe薄膜太阳能电池组件及其制备方法有效
| 申请号： | 201910023626.7 | 申请日： | 2019-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN109786481B | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 彭寿;马立云;潘锦功;傅干华;赵雷 | 申请（专利权）人： | 成都中建材光电材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0296 | 分类号： | H01L31/0296;H01L31/073;H01L31/18 |
| 代理公司： | 成都市集智汇华知识产权代理事务所(普通合伙) 51237 | 代理人： | 李华;温黎娟 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 cdte 薄膜 太阳能电池 组件 及其 制备 方法 | ||
1.一种CdTe薄膜太阳能电池组件，其特征在于，由下往上依次包括：衬底、窗口层、光吸收层和背电极层；所述窗口层由下往上依次包括：氧化锌掺氧化镁层、硫化锌掺硫化铟层和CdSe层，所述光吸收层CdTe层。
2.根据权利要求1所述的CdTe薄膜太阳能电池组件，其特征在于，所述窗口层的厚度为50～80nm。
3.根据权利要求1所述的CdTe薄膜太阳能电池组件，其特征在于，所述光吸收层的厚度为2.5～4.5μm。
4.根据权利要求1所述的CdTe薄膜太阳能电池组件，其特征在于，所述背电极层材料为纯镍金属材料。
5.根据权利要求1所述的CdTe薄膜太阳能电池组件，其特征在于，所述背电极层材料为含镍金属材料。
6.一种CdTe太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，包括：衬底上由下往上依次沉积窗口层、光吸收层、背接触层和背电极层；所述窗口层由下往上依次包括：氧化锌掺氧化镁层、硫化锌掺硫化铟层和CdSe层，所述光吸收层CdTe层。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，沉积所述窗口层中氧化锌掺氧化镁层、硫化锌掺硫化铟层和CdSe层的方法均为磁控溅射方法。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，沉积所述光吸收层的方法为近空间升华法。
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：对所述窗口层和所述光吸收层进行退火处理。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
