[发明专利]带隙基准电路

权利要求书

1.一种带隙基准电路，其特征在于，包括：

第一电流镜；

带隙核心电路，所述带隙核心电路包括：第一双极型晶体管、第二双极型晶体管和第三双极型晶体管，第一双极型晶体管和第二双极型晶体用于形成正温度系数电流，第三双极型晶体管用于形成负温度系数电流，第一双极型晶体管的基极和第二双极型晶体管的基极连接，第三双极型晶体管的基极和第三双极型晶体管的集电极连接，第一双极型晶体管的集电极、第二双极型晶体管的集电极、第三双极型晶体管的集电极分别连接第一电流镜；

负反馈单元，所述负反馈单元适于提供第一电流至第一双极型晶体管的基极和第二双极型晶体管的基极的连接点，所述负反馈单元还适于提供第二电流至第三双极型晶体管的集电极，第一电流等于第二电流的两倍；

所述负反馈单元包括：第二电流镜，第二电流镜包括第一支路和第二支路，第一支路与第一双极型晶体管的基极和第二双极型晶体管的基极的连接点连接，第二支路与第三双极型晶体管的集电极连接，第一支路适于提供第一电流至第一双极型晶体管的基极和第二双极型晶体管的基极的连接点，第二支路适于提供第二电流至第三双极型晶体管的集电极。

2.根据权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于，所述带隙核心电路还包括：第一电阻和第二电阻，第一电阻的一端与第二双极型晶体管的发射极连接，第二电阻的一端与第三双极型晶体管的发射极连接，第一双极型晶体管的发射极、第一电阻的另一端以及第二电阻的另一端均连接至地线。

3.根据权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于，第一支路包括第一MOS晶体管，第二支路包括第二MOS晶体管，第一MOS晶体管和第二MOS晶体管的类型为P型，第一MOS晶体管的源极和第二MOS晶体管的源极连接至电源线，第一MOS晶体管的栅极和第二MOS晶体管的栅极连接，第一MOS晶体管的漏极连接至第一双极型晶体管的基极和第二双极型晶体管的基极的连接点连接，第二MOS晶体管的漏极连接至第三双极型晶体管的集电极。

4.根据权利要求3所述的带隙基准电路，其特征在于，所述负反馈单元还包括：运算放大器，所述运算放大器具有第一输入端和第二输入端，第一输入端与第一双极型晶体管的集电极连接，第二输入端与第二双极型晶体管的集电极连接，所述运算放大器的输出端与第一MOS晶体管的栅极以及第二MOS晶体管的栅极连接。

5.根据权利要求3所述的带隙基准电路，其特征在于，第一MOS晶体管的沟道宽长比与第二MOS晶体管的沟道宽长之间的比值为2：1。

6.根据权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于，第一电流镜包括：第三MOS晶体管、第四MOS晶体管和第五MOS晶体管，第三MOS晶体管、第四MOS晶体管和第五MOS晶体管的类型为P型，第三MOS晶体管的栅极、第三MOS晶体管的漏极、第四MOS晶体管的栅极、第五MOS晶体管的栅极和第一双极型晶体管的集电极连接，第三MOS晶体管的源极、第四MOS晶体管的源极和第五MOS晶体管的源极连接至电源线，第四MOS晶体管的漏极与第二双极型晶体管的集电极连接，第五MOS晶体管的漏极与第三双极型晶体管的集电极连接。

7.根据权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于，第一双极型晶体管的类型为PNP型，第二双极型晶体管的类型为PNP型，第三双极型晶体管的类型为PNP型。