[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板；

表面电极，其配置在所述半导体基板的表面；以及

背面电极，其配置在所述半导体基板的背面，

所述半导体基板具备二极管区域、以及紧接着所述二极管区域设置的IGBT区域，

所述二极管区域具备：

第一导电类型的阳极区，其设置在所述半导体基体的表面所露出的范围内；

第二导电类型的阴极区，其设置在所述半导体基体的背面所露出的范围内；以及

第二导电类型的二极管漂移区，其设置在所述阳极区与所述阴极区之间，

所述IGBT区域具备：

第二导电类型的发射极区，其设置在所述半导体基体的表面所露出的范围内；

第一导电类型的集电极区，其设置在所述半导体基体的背面所露出的范围内；

第二导电类型的IGBT漂移区，其设置在所述发射极区与所述集电极区之间，紧接着所述二极管漂移区设置；

第一导电类型的体区，其设置在所述发射极区与所述IGBT漂移区之间；

栅极沟槽，其从所述半导体基板的表面贯穿所述发射极区和所述体区而延伸至到达所述IGBT漂移区的深度；

第二导电类型的缓冲区，其设置在所述IGBT漂移区与所述集电极区之间，并且杂质浓度高于所述IGBT漂移区；以及

多个第一导电类型的低浓度区，其设置在所述缓冲区与所述集电极区之间，在平行于所述半导体基板的方向有间隔地并排排列，其杂质浓度低于所述集电极区，

所述栅极沟槽的内部配置有栅极，

所述集电极区在相邻的所述低浓度区与所述低浓度区之间具有与所述缓冲区接触的第一接触部。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述集电极区在所述二极管区域和所述IGBT区域邻接的方向上与所述阴极区接触。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

当观察沿着与所述半导体基板垂直且为多个所述低浓度区并列的方向剖断的所述半导体基板的剖面时，多个所述低浓度区的面积的总和大于所述集电极区的面积。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

各所述低浓度区具备在所述二极管区域与所述IGBT区域邻接的方向上与所述集电极区接触的第二接触部，

各所述低浓度区的各所述第二接触部与垂直于所述半导体基板的方向平行地延伸。