[发明专利]有机发光显示面板、制备方法、阴极掩膜板及显示装置有效
申请号: | 201910023966.X | 申请日: | 2019-01-10 |
公开(公告)号: | CN109755280B | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 周志伟;宋艳芹;李威龙;韩珍珍;胡思明;张露 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人: | 张海英 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示 面板 制备 方法 阴极 掩膜板 显示装置 | ||
本发明公开了一种有机发光显示面板、制备方法、阴极掩膜板及显示装置,其中,有机发光显示面板包括:第一基板;位于所述第一基板上的有机发光结构阵列层,所述有机发光结构阵列层包括阴极;导电线,所述导电线在所述第一基板上的正投影围绕所述阴极在第一基板上的正投影;所述阴极为原电池正极,所述导电线为原电池负极,本发明根据原电池原理,利用阴极与导电线分别形成原电池正极和原电池负极,其中原电池负极的导电线可以作为牺牲线优先被腐蚀消耗水氧,避免有机发光显示面板渗入的水氧腐蚀有机发光结构,保证有机发光显示面板的发光效率和寿命。
技术领域
本发明实施例涉及显示技术,尤其涉及一种有机发光显示面板、制备方法、阴极掩膜板及显示装置。
背景技术
有机发光二极管显示装置(Organic Light Emitting Display,OLED)具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、宽视角、使用温度范围宽,可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点,被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
目前,有机发光显示面板在制作时,普遍采用薄膜封装技术来实现对水氧的阻隔,但水氧仍有可能从封装层与发光层以及与阵列基板之间的缝隙中渗入,腐蚀发光材料和阴极材料,降低OLED器件的效率和寿命。
发明内容
本发明提供一种有机发光显示面板、制备方法、阴极掩膜板及显示装置,以实现对有机发光面板中渗入的水氧的阻隔,保护有机发光结构。
第一方面,本发明实施例提供了一种有机发光显示面板,包括:
第一基板;
位于所述第一基板上的有机发光结构阵列层,所述有机发光结构阵列层包括阴极;
导电线,所述导电线在所述第一基板上的正投影围绕所述阴极在所述第一基板上的正投影;所述阴极为原电池正极,所述导电线为原电池负极。
第二方面,本发明实施例还提供了一种有机发光显示面板的制备方法,包括:
提供一第一基板;
在所述第一基板上形成有机发光结构阵列层,所述有机发光结构阵列层包括阴极;
形成导电线,所述导电线在所述第一基板上的正投影围绕所述阴极在所述第一基板上的正投影,所述阴极为原电池正极,所述导电线为原电池负极。
可选地,所述在所述第一基板上形成有机发光结构阵列层,所述有机发光结构阵列层包括阴极;形成导电线,所述导电线在所述第一基板上的正投影围绕所述阴极在所述第一基板上的正投影,所述阴极为原电池正极,所述导电线为原电池负极,包括:
在所述第一基板上形成阳极和发光功能层,在所述发光功能层上同时形成阴极和导电线,所述导电线在所述第一基板上的正投影围绕所述阴极在所述第一基板上的正投影,所述阴极为原电池正极,所述导电线为原电池负极。
可选地,形成导电线包括:
利用同一阴极掩膜板同时沉积阴极和导电线,所述导电线包括多个断口。
第三方面,本发明实施例还提供了一种阴极掩膜板,用于采用如第二方面所述的制备方法制备有机发光显示面板,包括掩膜板本体,所述掩膜板本体包括阴极开口和围绕所述阴极开口的导电线开口;
所述导电线开口包括多个子导电线开口,所述多个子导电线开口沿所述阴极开口的边缘延伸方向依次设置,且相邻两个所述子导电线开口之间间隔有掩膜板本体。
第四方面,本发明实施例还提供了一种有机发光显示装置,包括如第一方面任一所述的有机发光显示面板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山国显光电有限公司,未经昆山国显光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910023966.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的